大佬们，如何降低上电时的Vds
缓启动
要看你设计的是多少，另外就是漏感多大，等等一些参数
300W还用反激？
771V要看你的圈比，这个771V是尖峰还是平台？平台电压又是多少？
有没有电路参考
上电瞬间的尖峰最大电压，220V的输入，下面有图平台是整流后的310V
峰值太高了 要压 另外就是要看看漏感
估计是上电瞬间,启动电流直接到达了保护电流,漏电感很大,才导致尖峰很高,芯片有缓慢启动功能的话,应该不会这样
。。。。。。 上原理图和变压器吧。 反激目前最大功率做过240W。 漏感和尖峰是最难处理的。因为功率太大了
漏感最大是25uH
漏感太大芯片有没有软启动
你是普通三明治绕的变压器嘛？
1、看你的变压器设计是否合理，漏感是否过大
2、有没有加吸收
3、是否有软启
占空比太大了，启动电压可以设置高一点。
1.降低变压器漏感，这个是最重要的。
2.降低VOR 电压， 选择合适的匝比，不过从图上看， 平台电压也不高。所以这条改善不大。
3.增加输出缓启动， 但是不管多慢的缓启动， 启动Vds肯定大于正常工作的Vds 电压。
4. 加重原边MOSFET 吸收电路，但是会牺牲效率。
5. 增大原边MOSFET 驱动电阻， 但是也会牺牲效率。
6. 增大环路响应速度， 另外也要确人正常工作环路稳定性。
7.另外300W 的反激，原边MOSFET 内的峰值电流太大了， 漏感中储存的能量太高， 如果可以， 最好换个拓扑结构。 一般150W 以下选择反激会合适点。
次级加多一匝
有没有增加软启动功能？最好上份原理图看看
