本期的主题是以“电子星球APP”开展的,在此给各种工程师介绍下电...
开发“电子星球”APP的初衷是打造一所属于工程师的全民大学,通过...
2020年度慕尼黑上海电子展新主题:融合创新,智引未来。展会为电...
会议主题: 高可靠隔离电源风险评估设计
时间: 2019-08-15
主讲嘉宾: 苏伟健
报名人数: 600
会议主题:2020电源网国际电力电子直播节
会议时间:2020年7月-10月
会议地点:电源网直播间 电子星球app
报名人数:2000+
是德带你抢“壕”礼
4484
浏览
9
回复
0
获赞
1)如下为仙童一份介绍Vds资料截图,在反激拓扑结构中,当MOSFET关闭后Vds会出现尖峰电压,理论上来说是由于初级测漏感造成的,既然后漏感肯定就不能耦合到次级去,但是资料介绍的波形中,次级测的电流波形为什么会受到影响,此时次级测电压应当被输出电压钳位?
2)
同是电子工程师,请一定不要吝啬你的赞!
0人已赞
4100449
1496462
23
412735
登录后可以回复楼主登录
编辑
删除
举报
#该内容仅管理员可见#
#回复内容已被删除#
#该内容正在审核#
现在还没有回复呢,说说你的想法
2014-07-21 09:14
设为最佳答案
置顶
4100484
413550
2014-07-21 09:53
4100485
178460
2014-07-21 11:16
4100492
480006
2014-07-21 21:09
4100549
2014-07-21 23:32
4100555
2014-07-22 08:10
4100557
2014-07-22 10:38
4100575
2014-07-22 22:31
4100628
2014-07-23 22:34
初级测的电流为Ipk=Id= Im(励磁电流) + I耦合;你的意思是说由于漏感震荡的过程,引发Im励磁电流的变化,那么耦合电流是怎么变化的。。。?
既然波形能耦合过去,为什么能量不能传递过去,(当然传递过去了又与漏感的定义上存在分歧)
请详解,谢谢。
4100660
1、支持jpg、jpeg、png、gif,单张图片最大支持4MB
2、最短边大于128像素且小于4096像素
4100449
1496462
23
412735
说说你的看法
登录后可以回复楼主登录