求教反激电源损坏的原因

电源没有做好

多是 3844 的 Vcc 异常升高了，导致 MOS 的 gate 驱动电压升高，然后击穿并自导通，引起一系列的反应

MOS 的 gate 级加一个稳压管到地就OK了

最开始也是这样认为，但多次用示波器查看3844供电侧，电压为15V,在突变电压下也没有波动，g端是有TVS进行钳位的，采用的P6KE18CA。开关管散热片温升也不高27度，变压器温升在20度内。

奇怪的是有一套机上的单元板在厂内不间断运行达1月之久，板子运到现场后五天坏了二块板，毛病相同，现怀疑是有较强的空间辐射所至。是用在35KV直挂机，整机容量10MW

今天再做EMC试验发现将电源板放在EMC注入口，当EMC注入干扰（原先在输入线上注入，现在将注入的盒子打开将电路板放在上面)达到4000V时，其射干扰在电源的各个回路中产生快到100V的干扰波频率10M以上，驱动波形有较大的变化，可惜当时存的波形为isf文件，不知道如何打开。

P6KE18CA  是 18V 的 TVS ， TVS 没有失效？

你可以选试验一下，用 18V 脉冲波去驱动 MOS，看一下是不是会损坏 MOS，

另 TVS 是接在 MOS 的 GS 端，还是接在6脚输出？ 两者的特点是不同的

没有失效，是直接接在管子的GE处，管子用的是高压IGBT（12N300）。18V驱动没有问题，在厂内已做过各种试验，从来没坏过。厂内产量是每月4-6000块，高温老化24小时。厂内损坏率一年中不超过20块。

现在分析可能是用的IGBT资料上写的是最好要负压关断，现在正在做驱动负压电路。但与业内一些同行聊到此事，有说在小功率驱动时不要负压也可以，也有说需要负压关断更加稳定（IGBT在电流波动时如拖尾过长易产生擎住效应）。节后准备去次现场，看看现场电磁环境如何。

今天据现场反回来的消息说，每次坏之前必报过压，输入电压瞬态冲高200V上下，有一个单元报过3次，最后一次挂了，现不知是真报还是AD受干扰。

问下司令在此种情况下该从哪方面下手！做高压脉冲群（4级）试验时如何减小电源所受的干扰。