选择开关管的问题

拟做一个开关电源，输入150~270VAC，输出12V2A。根据计算用2N60的管子就可以了。如果在成本相差不大的时候（用拆机管），能用10N80的管子吗？从内阻方面2N60是4.7欧。10N80是1.05欧，应该对提高效率有帮助。耐压后者是800V的肯定比600V的要可靠。但就是不知在驱动上是不是会有什么不良的影响？

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贺赫无名

LV.9

2013-01-20 18:21

做好好看看波形就知道了。一般不会有啥影响

贺赫无名

LV.9

2013-01-20 18:22

@贺赫无名

做好好看看波形就知道了。一般不会有啥影响

除非你的MOS管GS结电容超大，，，

dreamer662006

LV.8

2013-01-20 19:46

@贺赫无名

除非你的MOS管GS结电容超大，，，

2N60的CISS和COSS比10N80小很多，换10N80导通损耗是减小了，但开关损耗要增加。

lyf2130790

LV.5

2013-01-20 20:22

@dreamer662006

2N60的CISS和COSS比10N80小很多，换10N80导通损耗是减小了，但开关损耗要增加。

是大很多，有10倍多。我是用OB2263的芯片，能克服这两个参数的影响吗？

dreamer662006

LV.8

2013-01-20 20:30

@lyf2130790

是大很多，有10倍多。我是用OB2263的芯片，能克服这两个参数的影响吗？

开关损耗跟芯片没有多大关系，跟工作频率成正比关系。

qin390503542

LV.5

2013-01-20 21:02

@dreamer662006

开关损耗跟芯片没有多大关系，跟工作频率成正比关系。

看看你的驱动波形，如果不平缓是没事的，太缓的话损耗会加大。

lyf2130790

LV.5

2013-01-20 21:40

@dreamer662006

开关损耗跟芯片没有多大关系，跟工作频率成正比关系。

在开关电源中，开关管的损耗大约占所有损耗的百分比是多少？开关管的损耗的主要是导通损耗还是开关损耗。

ymyangyong

2013-01-20 21:43

@lyf2130790

是大很多，有10倍多。我是用OB2263的芯片，能克服这两个参数的影响吗？

OB2263驱动能力很小，估计直接驱动不了10N80，楼主可试试看。

lyf2130790

LV.5

2013-01-21 06:43

@ymyangyong

OB2263驱动能力很小，估计直接驱动不了10N80，楼主可试试看。

用OB2269可以驱动吗？两芯片的价格差不多。

老钟电源IC

LV.11

2013-01-21 09:18

@lyf2130790

用OB2269可以驱动吗？两芯片的价格差不多。

用OB2269可以驱动

lyf2130790

LV.5

2013-01-21 11:04

@老钟电源IC

用OB2269可以驱动

军长大侠，我的这个想法是不是比用2N60要可靠一些，实际意义有没有。值不值得这样做。估计效率有提高吗？

老钟电源IC

LV.11

2013-01-21 12:43

@lyf2130790

军长大侠，我的这个想法是不是比用2N60要可靠一些，实际意义有没有。值不值得这样做。估计效率有提高吗？

做12V2A 24W高电压,我没有用过10N这么大的MOS,但是你在确定好用哪个IC后,画板做一个电源,用2N和10N的两个MOS进行装机对比测试,记下结果就知道了.

老钟电源IC

LV.11

2013-01-21 12:46

@老钟电源IC

做12V2A24W高电压,我没有用过10N这么大的MOS,但是你在确定好用哪个IC后,画板做一个电源,用2N和10N的两个MOS进行装机对比测试,记下结果就知道了.

希望你将两个测试结果公布,大伙能分享你的成果,另外2N的也有800V的可能相对要稀少一点,不好买.

mko145

LV.8

2013-01-21 13:06

@lyf2130790

在开关电源中，开关管的损耗大约占所有损耗的百分比是多少？开关管的损耗的主要是导通损耗还是开关损耗。

对于普通的MOS管，一般来说开关损耗要大过导通损耗 ~

lyf2130790

LV.5

2013-01-21 15:31

@老钟电源IC

希望你将两个测试结果公布,大伙能分享你的成果,另外2N的也有800V的可能相对要稀少一点,不好买.

我是有这个想法，不过由于我是刚学开关电源，很多参数都没搞清楚。希望大侠们多多帮忙，如果能做得出来我一定公布结果。

lyf2130790

LV.5

2013-01-21 15:48

计算变压器

原来想做的是12V2A，通过大侠们的指导，我怕OB2263驱动不了10N80，改为OB2269做驱动。那就把功率做高一点 12V3A 36W，现在有一个纠结，就是不知2N60能否做36W。不管它先计算变压器。

用老梁头的公式计算变压器

输入AC150~270 DC为Vinmin=150×1.41＝211V VinDax=270×1.41=380V

取 200V~380V

输出DC12V 电流3A 功率36W 取效率为80%

取开关频率＝65K 最大占空比：Dmax 0.35

由此可得周期：T=1/65000=15.38μs ton=15.38×0.35=5.38μs

1、计算初级峰值电流：IP1+IP2=2Pout/Vinmin*Dmax*η=72/200*0.35*0.8=1.284A

在DCM模式Ip1为0.在CCM模式取Ip2=3Ip1 得Ip1=0.3215A Ip2=0.9645A

在ton内电流变化量∆I＝Ip2- Ip1＝0.9645-0.3215＝0.643A

2、计算初级电感量：LP=Vinmin*ton/∆I=200*5.38/0.643=1673μH

3、计算磁心面积：Aw*Ae=(Lp*Ip²*10⁴/450*∆B*K0)^4/3cm⁴

这里取磁感应强度变化量∆B为0.2T

450为最大电流密度

K0为窗口利用系数取0.3

代入上式得：Aw*Ae=(1673*10^-6*0.643²*10⁴/450*0.2*0.3)^4/3cm⁴＝0.1627 cm⁴

查表得EE25 Ae=44mm² Aw=78mm² Ve=2218mm³ Ae* Aw =0.44*0.78=0.3432cm⁴

大于0.1627cm⁴，可以取EE－25的磁心。

4、计算初级匝数：Np=Lp*Ip/∆B*Ae=1673*0.643/0.2*44=122.24Ts

5、计算次级Ns=(Vout+Vd)*(1-Dmax)*Np/VINmin* Dmax=12.7*0.65*122.24/200*0.35=14.41Ts

计算出来的磁心EE25我感觉有点小，但是按计算好象余量还较大，请大家帮忙算一下。

lyf2130790

LV.5

2013-01-22 04:03

@lyf2130790

计算变压器原来想做的是12V2A，通过大侠们的指导，我怕OB2263驱动不了10N80，改为OB2269做驱动。那就把功率做高一点12V3A 36W，现在有一个纠结，就是不知2N60能否做36W。不管它先计算变压器。用老梁头的公式计算变压器输入AC150~270 DC为Vinmin=150×1.41＝211V VinDax=270×1.41=380V 取200V~380V输出DC12V 电流3A 功率36W 取效率为80%取开关频率＝65K 最大占空比：Dmax 0.35由此可得周期：T=1/65000=15.38μs ton=15.38×0.35=5.38μs1、计算初级峰值电流：IP1+IP2=2Pout/Vinmin*Dmax*η=72/200*0.35*0.8=1.284A在DCM模式Ip1为0.在CCM模式取Ip2=3Ip1 得Ip1=0.3215A Ip2=0.9645A在ton内电流变化量∆I＝Ip2-Ip1＝0.9645-0.3215＝0.643A2、计算初级电感量：LP=Vinmin*ton/∆I=200*5.38/0.643=1673μH3、计算磁心面积：Aw*Ae=(Lp*Ip2*104/450*∆B*K0)4/3cm4这里取磁感应强度变化量∆B为0.2T 450为最大电流密度K0为窗口利用系数取0.3代入上式得：Aw*Ae=(1673*10-6*0.6432*104/450*0.2*0.3)4/3cm4＝0.1627cm4查表得EE25 Ae=44mm2 Aw=78mm2 Ve=2218mm3 Ae*Aw=0.44*0.78=0.3432cm4大于0.1627cm4，可以取EE－25的磁心。4、计算初级匝数：Np=Lp*Ip/∆B*Ae=1673*0.643/0.2*44=122.24Ts5、计算次级Ns=(Vout+Vd)*(1-Dmax)*Np/VINmin*Dmax=12.7*0.65*122.24/200*0.35=14.41Ts 计算出来的磁心EE25我感觉有点小，但是按计算好象余量还较大，请大家帮忙算一下。

路过的DX们帮帮忙呀！EE25的磁心做36W行吗？