BP3122缺点如下
1、此芯片为双芯片封装：控制+MOS管＝BP 3122，在控制及MOS管之间需要打五根线，最后才会将控制+MOS封成SOP8，组成了：BP 3122。双芯片封装存在很大的风险，因芯片与芯片之间要打线，在封装的制程工艺上很复杂、要求相当高，经常存在打线不牢，或者轻重不一，在终端客户使用过程中经过热涨冷缩，引起芯片与芯片之间管脚脱层，直接影响芯片的可靠性及良率，双芯片封装还会增加炸机的风险。
2、MOS管的最高耐压值为：650V（对变压器要求严格）。
3、恒流范围窄，不能带单颗红色灯。
4、会有灯闪烁的问题，需要在原副边增加Y电容解决该问题！
SM7523优点如下
1、我司SM7523是单芯片的封装，对封装制程工艺要求低、简单、可靠性好！
2、我司SM7523是700V高压MOS工艺，耐压值可以做到700V以上，我司的成测指标是：730V的标准。
3. 芯片采用高压内部自启动电路，解决外部高压电阻启动的弊端（如：失效、炸机、高压放电）等不稳定的因素。
4. 芯片内部VDD智能供电电路，解决VDD外部供电问题，对电容的要求不高（如：电容耐压、容值、ESR\ESL）。
5、我司SM7523可以做到1-3*1W、3*1W，不管什么颜色的灯珠都可以兼容。
6、我司SM7523在3*1W中，效率高达80%。
SM7523必须顶！ 3W超低成本方案！
