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Nexperia第二代650 V氮化镓场效应管使80 PLUS®钛金级电源可在2 kW或更高功率下运行

2021-04-27 16:05 来源:Nexperia 编辑:电源网

基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比,新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ(典型值)的RDS(on)性能,适用于2 kW至10 kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关模式电源(SMPS),特别是必须满足80 PLUS®钛金级效率认证的服务器电源和高效率要求的电信电源。该器件也非常适合相同功率范围内的太阳能逆变器和伺服驱动器。

Nexperia_PR Image_H2 GaN - solar image

全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封装,对于给定RDS(on)值,芯片尺寸缩小36%,具有更好的稳定性和效率。级联配置无需复杂的驱动电路,加快了产品上市速度。该器件在硬开关和软开关电路中均具有出色的性能,为设计人员提供极大的灵活性。

Nexperia GaN战略市场总监Dilder Chowdhury解释说:“钛金级是80 PLUS®规格中最严苛的,满载条件下要求达到>91%的效率(半载条件下>96%)。对于2 kW及更高功率的服务器电源应用,使用传统硅器件来实现这种性能水平,电路设计复杂而具有挑战性。Nexperia新的功率GaN FET非常适合简洁的无桥图腾柱PFC电路,使用更少的器件,并能减少尺寸和系统成本。”

Nexperia GAN041-650WSB GaN FET现已大量供货。

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