氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，也是一种宽禁带材料（WBG），与硅等传统半导体材料相比，它能够让器件在更高的电压、频率和温度下运行。自1990年起常用在发光二极管中。近些年，随着GaN材料在光电器件领域的广泛应用，基于氮化镓的分立式与外部驱动器，多片/单片集成产品变得炙手可热。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管相比，GaN技术可以将功率翻倍，并将功耗减少80%，帮助工程师将众多应用性能提升至更高水平。据估计，未来十年，基于氮化镓的器件市场总值有望超过10亿美元。目前，英飞凌是市场上唯一一家提供涵盖硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等材料的全系列功率产品的公司。

CoolGaN™是英飞凌“氮化镓（GaN）增强模式高电子迁移率晶体管（E-HEMT）”产品系列。目标应用包括服务器、电信、无线充电、音频、适配器等。CoolGaN™非常适合高电压下运行更高频率的开关，具有更薄的主动层，功率密度扩展以及更强的散热能力。英飞凌希望CoolGaN™成为客户使用GaN材料的首选。

2018年11月28日，英飞凌携全新氮化镓（GaN）解决方案CoolGaN™ 600V增强型HEMT和GaN ElceDRIVER™ IC亮相发布会。它们具备更高功率密度，可实现更加小巧、轻便的设计，从而降低系统总成本和运行成本，以及减小资本支出。随着全新GaN解决方案的推出，目前，英飞凌是市场上唯一一提供涵盖硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的全系列功率产品的公司。

英飞凌（Infineon）公司是全球十大半导体制造商之一。1999年5月1日，西门子半导体公司正式更名为Infineon，总部设在德国慕尼黑。英飞凌设计、开发、制造和销售一系列丰富的半导体元器件和系统解决方案。重点关注汽车电子、工业电子、通信与信息技术和基于硬件的安全技术等多个领域，提供包括标准元器件、针对设备和系统的客户定制解决方案，以及面向数字、模拟和混合信号应用的特定元器件在内的多条产品线。截至2018年9月，Infineon公司在全球范围内拥有约40,100名员工，35个研发中心，17个生产基地。2018 财年英飞凌的销售额约达76亿欧元，英飞凌在法兰克福证券交易所（股票代码：IFX）和美国柜台交易市场OTCQX International Premier（股票代码：IFNNY）挂牌上市。

电源管理及多元化市场事业部（PMM）拥有多元化的产品组合。PMM的核心领域之一是电源半导体。2018财年PMM的营收额为23.18亿欧元。根据IHS Markit的排名，英飞凌在2016年标准MOSFET功率晶体管市场拥有26.4%的市场份额，位居行业第一。密度，高效率电源产品设计上处于领先地位。

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