真服我自己了，没有问题，加上假负载就好了。但还是想知道怎么选择mos的驱动电阻，有知道的大佬吗。

你现在解决了吗，没解决的话我有几个思路

电容从1nf调到了470pf,电阻从470r调到100r,没什么变化

请问你解决了吗

能有办法解决吗？在不改变散热的情况下

我满载是2.3A，过流点已经控制在2.7，2.8了😭

264V稳态的时候mos520V，二极管电压300V。老化时间越长温度越高电压增加的不多。只是短路保护测试的时候，冷机的短路保护测试电压正常，但老化时间长一点，温度一高，短路保护测试时这两的电压就会高，这样也是吸收回路的问题吗？

请问下，反激式开关电源老化越久，短路保护测试时输出二极管反向电压越高。经过测试，输出二极管的散热确实会影响到反向电压，我想问，在不改变其散热情况下，能有其他办法降低短路保护测试时的反向电压吗。稳态的时候，反向电压会升高但不多，10V左右。但短路保护测试就会超出二极管的额定值。

已解决，确实是反馈电路参数问题。

请问这要怎么整改呢？因为不改的话，轻载时，反向电压超过我用的mos的耐压了。我试着调了一下，调不出来