djy_yj:
学长,我遇到一个关于逆变器的电路,采用的是两个MOS并联。但是他在漏级和栅极间接了一个电容,这在我理解就是加大了GD间的寄生电容,增加了充放电时间,减慢了开关速度。要单是想控制开关速度调整栅极驱动电阻就好了,没必要加这么一个电容。实际电路如下图一目前我能想到的有两点,但没有太多的理论支撑:1、改善EMC,在mos开通或者关断的时候产生的骚扰通过如图二的回来消耗掉;2、因为MOS采用的是并联,为了改善并联MOS的烧机情况。学长有没有关于此电容作用的理解,还望指导。谢谢![图片][图片]