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赵鹏飞:
mos损坏是因为里面的东西发生了迁移这种迁移的速度和温度相关在低温下表现为睡到效应方向和电流大小相关
2016-08-17 15:33 回复
原帖:【我是工程师】深入理解MOSFET规格书/datasheet
赵鹏飞:
同求datashee15650112013@126.com
2016-08-17 11:05 回复
原帖:突破极限,DIP8的IC无外置MOS做60W,你信吗???
赵鹏飞:
dip8这么大的封装别说做60瓦典型条件下不加散热器推挽软开关的做600w也不稀奇问题是宽电压就有点难了
2016-08-17 11:05 回复
原帖:突破极限,DIP8的IC无外置MOS做60W,你信吗???
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