英飞凌 2018-09-20
咨询:zhuxuanwei | IGBT的晶圆主要是什么?为什么电压和电流可以做到这么大? |
回复:英飞凌-施俊 |
是硅基材料,主要优化了设计,以及晶圆厚度可以做得更小,损耗变小了,散热也更好 |
咨询:zhuxuanwei | 为什么IGBT的集电极要做成那种铁片封装的? |
回复:晶川-陈战国 |
为了底部散热 |
咨询:zhuxuanwei | 在设计时,怎么选型IGBT? |
回复:英飞凌-施俊 |
要严格的根据datasheet来选择 |
咨询:duanbinwei | 如何设置死区时间 |
回复:英飞凌-施俊 |
可以用以下公式估算 死区时间=((最大关断延迟-最小开通延迟)+(驱动器最大传输延迟时间-驱动器件最小传输延迟时间))*1.2 |
咨询:zhuxuanwei | IGBT的输出特性是怎么样的? |
回复:英飞凌-施俊 |
具体查看数据手册,具体上英飞凌官方网站去搜具体型号的数据手册 |
咨询:s453208 | 新一代的IGBT价格大概多少,成本方面有有优势吗 |
回复:英飞凌-施俊 |
代数越高,成本越有优势,英飞凌最新一代的IGBT,基本已经采用12英寸晶圆,可以保证成本的优势 |
咨询:wheelzhou | 能给这两款起个通用型的名字吗,或者代号,这样方便我们这些工程师让采购下单,直接用吗?谢谢! |
回复:英飞凌-施俊 |
具体在Webinar上有介绍,可以通过英飞凌官方网站查找具体产品型号 |
咨询:zhuxuanwei | MOSFET与IGBT每部构造的区别? |
回复:英飞凌-施俊 |
MOSFET是单极性器件,IGBT是双极型器件。它们的正面结构都是类似的,不同之处在于,IGBT在漂移层背面增加了P+层,作为器件的集电极,集电极可以在器件导通时向漂移层注入空穴,从而降低器件的导通损耗 |
咨询:llc3726 | 请问电压型半桥逆变电路中,当直流侧串联小电容并联大电阻时,为什么在一定频率和占空比范围内才能抑制中点电压的偏移,避免后接的变压器出现偏磁现象呢。 |
回复:英飞凌-施俊 |
这是系统设计问题,建议在开关时候做微调,应该对均压有帮助。 |
咨询:flying123 | IGBT的频率范围是多少 |
回复:英飞凌-施俊 |
IGBT的最高开关频率可以到100kHz左右,具体数据还要根据实际工况和散热条件确定 |