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MOSFET      共有108个资源
  • 详解CMOS、SiGeBiCMOS和GaAs三种工艺的射频功率放大器的异同1

    上传时间:2020-01-15| 资源大小:5.62MB| 下载量:0| 上传者:miemie916

    【摘要】射频功率放大器在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用,是现代无线通信的关键设备。与传统的行波放大器相比,射频固态功率放大器具有体积小、动态范围大、功耗低、寿命长等一系列优点;由于射频功率放大器在军事和个人通信系统中的地位非常重要,使得功率放大器的研制变得十分重要。因此对该课题的研究具有非常重要的意义。 设计射频集成功率放大器的常见工艺有GaAs、SiGe BiCMOS和CMOS等。GaAs工艺具有较好的射频特性和输出功率能力,但其价格昂贵,工艺一致性差;CMOSI艺的功率输出

    标签: 射频 | MOSFET |

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  • 详解CMOS、SiGeBiCMOS和GaAs三种工艺的射频功率放大器的异同2

    上传时间:2020-01-15| 资源大小:6.64MB| 下载量:0| 上传者:miemie916

    【摘要】射频功率放大器在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用,是现代无线通信的关键设备。与传统的行波放大器相比,射频固态功率放大器具有体积小、动态范围大、功耗低、寿命长等一系列优点;由于射频功率放大器在军事和个人通信系统中的地位非常重要,使得功率放大器的研制变得十分重要。因此对该课题的研究具有非常重要的意义。 设计射频集成功率放大器的常见工艺有GaAs、SiGe BiCMOS和CMOS等。GaAs工艺具有较好的射频特性和输出功率能力,但其价格昂贵,工艺一致性差;CMOSI艺的功率输出

    标签: 射频 | MOSFET |

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  • 详解CMOS、SiGeBiCMOS和GaAs三种工艺的射频功率放大器的异同3

    上传时间:2020-01-15| 资源大小:5.20MB| 下载量:0| 上传者:miemie916

    【摘要】射频功率放大器在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用,是现代无线通信的关键设备。与传统的行波放大器相比,射频固态功率放大器具有体积小、动态范围大、功耗低、寿命长等一系列优点;由于射频功率放大器在军事和个人通信系统中的地位非常重要,使得功率放大器的研制变得十分重要。因此对该课题的研究具有非常重要的意义。 设计射频集成功率放大器的常见工艺有GaAs、SiGe BiCMOS和CMOS等。GaAs工艺具有较好的射频特性和输出功率能力,但其价格昂贵,工艺一致性差;CMOSI艺的功率输出

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  • 电机驱动芯片LMD18200 使用详解

    上传时间:2020-01-07| 资源大小:104KB| 下载量:4| 上传者:miemie916

    【摘要】LMD18200是美国国家半导体公司(NS)推出的专用于直流电动机驱动的H桥组件。同一芯片上集成有CMOS控制电路和DMOS功率器件,利用它可以与主处理器、电机和增量型编码器构成一个完整的运动控制系统。LMD18200广泛应用于打印机、机器人和各种自动化控制领域。本文介绍了LMD18200芯片的结构、原理及其典型应用。

    标签: MOSFET |

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  • MOS管电路工作原理及详解

    上传时间:2019-02-25| 资源大小:2.46MB| 下载量:66| 上传者:韩小zhuang

    【摘要】如果MOS管用作开关时,(不论N沟道还是P沟道),一定是寄生二极管的负极接输入边,正极接输出端或接地。否则就无法实现开关功能了。所以,N沟道一定是D极接输入,S极接输出或地。

    标签: MOSFET |

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  • MOS管驱动电路总结

    上传时间:2018-11-30| 资源大小:526KB| 下载量:65| 上传者:韩小zhuang

    【摘要】本文主要讲了MOS管驱动电路的有关总结。

    标签: MOSFET |

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  • 功率器件的应用领域和功率MOS结构与技术及边缘终止符

    上传时间:2018-11-29| 资源大小:2.32MB| 下载量:11| 上传者:韩小zhuang

    【摘要】本文是功率器件的应用领域和功率MOS结构与技术及边缘终止符。(英文版)

    标签: MOSFET |

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  • MOS管电路工作原理及详解

    上传时间:2018-10-24| 资源大小:2.46MB| 下载量:39| 上传者:韩小zhuang

    【摘要】本文主要讲了MOS管电路工作原理及详解。

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  • LLC原理与设计

    上传时间:2018-10-23| 资源大小:2.81MB| 下载量:632| 上传者:韩小zhuang

    【摘要】本文主要讲了LLC原理与设计。

    标签: LLC | MOSFET |

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  • 如何进行MOSFET升降压斩波电路设计

    上传时间:2018-10-11| 资源大小:824KB| 下载量:45| 上传者:韩小zhuang

    【摘要】本文主要讲了MOSFET升降压斩波电路设计:设计目的,设计技术数据及要求,设计内容及要求等内容。

    标签: MOSFET |

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