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MOSFET      共有104个资源
  • MOS管电路工作原理及详解

    上传时间:2019-02-25| 资源大小:2.46MB| 下载量:55| 上传者:韩小zhuang

    【摘要】如果MOS管用作开关时,(不论N沟道还是P沟道),一定是寄生二极管的负极接输入边,正极接输出端或接地。否则就无法实现开关功能了。所以,N沟道一定是D极接输入,S极接输出或地。

    标签: MOSFET |

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  • MOS管驱动电路总结

    上传时间:2018-11-30| 资源大小:526KB| 下载量:58| 上传者:韩小zhuang

    【摘要】本文主要讲了MOS管驱动电路的有关总结。

    标签: MOSFET |

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  • 功率器件的应用领域和功率MOS结构与技术及边缘终止符

    上传时间:2018-11-29| 资源大小:2.32MB| 下载量:8| 上传者:韩小zhuang

    【摘要】本文是功率器件的应用领域和功率MOS结构与技术及边缘终止符。(英文版)

    标签: MOSFET |

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  • MOS管电路工作原理及详解

    上传时间:2018-10-24| 资源大小:2.46MB| 下载量:33| 上传者:韩小zhuang

    【摘要】本文主要讲了MOS管电路工作原理及详解。

    标签: MOSFET |

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  • LLC原理与设计

    上传时间:2018-10-23| 资源大小:2.81MB| 下载量:566| 上传者:韩小zhuang

    【摘要】本文主要讲了LLC原理与设计。

    标签: LLC | MOSFET |

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  • 如何进行MOSFET升降压斩波电路设计

    上传时间:2018-10-11| 资源大小:824KB| 下载量:37| 上传者:韩小zhuang

    【摘要】本文主要讲了MOSFET升降压斩波电路设计:设计目的,设计技术数据及要求,设计内容及要求等内容。

    标签: MOSFET |

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  • 高功率密度碳化硅MOSFET软开关三相逆变器损耗分析

    上传时间:2018-10-09| 资源大小:2.27MB| 下载量:18| 上传者:韩小zhuang

    【摘要】相比硅 IGBT,碳化硅 MOSFET 拥有更快的开关速度和更低的开关损耗。 碳化硅 MOSFET 应用于高开关频率场合时其开关损耗随着开关频率的增加亦快速增长。 为进一步提升碳化硅 MOSFET 逆变器的功率密度,探讨了采用软开关技术的碳化硅 MOSFET 逆变器。 比较了不同开关频率下的零电压开关三相逆变器及硬开关三相逆变器的损耗分布和关键无源元件的体积, 讨论了逆变器效率和关键无源元件体积与开关频率之间的关系。

    标签: IGBT | MOSFET |

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  • 高效率电力电子技术及其应用案例剖析之二

    上传时间:2018-09-11| 资源大小:6.01MB| 下载量:121| 上传者:XWei

    【摘要】西南交通大学电气工程学院马红波老师在电源网2018年中国工程师巡回研讨会-成都站分享了课题《高效率电力电子技术及其应用案例剖析》,介绍了高效率电力电子技术,高效率微逆变器设计案例,高效率双向DC-DC设计案例,GaN HEMT DC/DC 案例,SiC MOSFET PFC案例。讲解深入浅出,将理论与实际结合,引人入胜。

    标签: 逆变电源 | DC-DC | MOSFET |

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  • 高效率电力电子技术及其应用案例剖析之一

    上传时间:2018-09-11| 资源大小:5.42MB| 下载量:141| 上传者:XWei

    【摘要】西南交通大学电气工程学院马红波老师在电源网2018年中国工程师巡回研讨会-成都站分享了课题《高效率电力电子技术及其应用案例剖析》,介绍了高效率电力电子技术,高效率微逆变器设计案例,高效率双向DC-DC设计案例,GaN HEMT DC/DC 案例,SiC MOSFET PFC案例。讲解深入浅出,将理论与实际结合,引人入胜。

    标签: 逆变电源 | DC-DC | MOSFET |

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  • 验证电源设计中的MOSFET性能的四项关键测试

    上传时间:2018-09-05| 资源大小:2.99MB| 下载量:23| 上传者:韩小zhuang

    【摘要】验证电源设计中的MOSFET性能的四项关键测试:输出特性曲线,阀值电压,栅极漏流,跨导。

    标签: MOSFET |

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