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上传时间：2021-08-31| 资源大小：2.77MB| 下载量：190| 上传者：dy-9NS5aZ2V
【摘要】TI电流采集放大指导书
立即下载上传时间：2021-05-20| 资源大小：5.52MB| 下载量：433| 上传者：szr88888
【摘要】TI大学计划-电源篇
立即下载上传时间：2019-12-22| 资源大小：376KB| 下载量：16| 上传者：southwave
【摘要】An antenna switch controller integrated with single-pole-multi-throw RF switches is presented. It is implemented in a 0.18 mm CMOS thin-film silicon-on-insulator (SOI) process. The proposed switch controller generates a negative voltage to enhance the lin
立即下载上传时间：2019-12-22| 资源大小：608KB| 下载量：12| 上传者：southwave
【摘要】The most common approach used in the generation of on-chip high voltages are based on Dickson’s charge pump. In embedded and stand-alone designs of non-volatile memories, multiple charge pumps are utilised to generate both positive and negative voltages.
立即下载上传时间：2019-11-19| 资源大小：6.35MB| 下载量：9| 上传者：miemie916
【摘要】对超薄栅氧化物，采用软击穿(SBD)技术广泛研究，但没有完全集成到电路可靠性模拟。使用一个6T SRAM单元作为通用电路示例时间相关的SBD被纳入电路退化基于指数缺陷电流增长模型[1]进行分析。SRAM细胞稳定性因个体失效机制而退化为特征。多重失效机制的退化效应并对SRAM细胞的操作进行了研究。模拟结果表明，闸极氧化物SBD是主要的失效形式导致SRAM稳定性和运行退化的机理，NBTI和HCI的影响要小得多。
标签： MOSFET |
立即下载上传时间：2019-11-04| 资源大小：6.35MB| 下载量：10| 上传者：miemie916
【摘要】对超薄栅氧化物，采用软击穿(SBD)技术 广泛研究，但没有完全集成到电路可靠性 模拟。 使用一个6T SRAM单元作为通用电路示例 时间相关的SBD被纳入电路退化 基于指数缺陷电流增长模型[1]进行分析。 SRAM细胞稳定性因个体失效机制而退化 为特征。
标签： MOSFET |
立即下载上传时间：2019-10-19| 资源大小：6.27MB| 下载量：153| 上传者：miemie916
【摘要】2019年度电源网工程师巡回研讨会-杭州-Connected Lighting驱动电源设计挑战-Eric文天祥
标签： 2019杭州会议 |
立即下载上传时间：2019-10-18| 资源大小：978KB| 下载量：57| 上传者：miemie916
【摘要】三个软件联合使用，AD-AutoCAD-ADS，亲测可用，但还是有点问题，比如敷铜就不同很好导入，总是会形成缝隙，大家可以参考一下
标签： PCB |
立即下载上传时间：2019-09-25| 资源大小：703KB| 下载量：10| 上传者：miemie916
【摘要】本文要分享的是工厂的制造产线如何应用AI的技术与应用。 首先先跟各位分享所谓的智能制造以及所谓的工业革命阶段， 如同大家所知一个工厂的建置。
标签： 物联网 |
立即下载上传时间：2019-08-09| 资源大小：3.65MB| 下载量：140| 上传者：dyw_lbx
【摘要】Multisim用软件方法虚拟电子元器件及仪器仪表，将元器件和仪器集合为一体，是原理图设计、电路测试的虚拟仿真软件。
标签： Multisim |
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