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会议主题： 高可靠隔离电源风险评估设计

时间： 2019-08-15

主讲嘉宾： 苏伟健

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EMI 挑战及故障排除技术刘广缘（Ken Lau） 2019-12-03

Silent Switcher稳压器：高效率、超低E Tony Armstrong 2019-12-11

电力电子电源的测试和评估 Fluke 技术人员 2019-11-20
线下会议

会议主题：2020电源网国际电力电子直播节

会议时间：2020年7月-10月

会议地点：电源网直播间电子星球app

报名人数：2000+
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杭芯半导体MOS

上传时间：2021-03-17| 资源大小：1.21MB| 下载量：18| 上传者：xiaozhiliang

【摘要】杭芯半导体MOS NMOS 65V&10A RDS(ON)16mΩ HC6816 SOP8

标签：开关电源 | MOSFET | 电源模块 | 半导体 |
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杭芯半导体MOS

上传时间：2021-03-17| 资源大小：846KB| 下载量：3| 上传者：xiaozhiliang

【摘要】杭芯半导体MOS PMOS 30V&30A RDS(ON)15mΩ HC4407 PDF3*3

标签：控制器 | MOSFET | 电池 | 半导体 |
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降压IC MT2492 2A 16V SOT23-6

上传时间：2021-03-03| 资源大小：396KB| 下载量：14| 上传者：dy-kPx8tzxf

【摘要】4V至18V宽电压输入范围 2A输出电流无需肖特基二极管 600 KHz频率内置超过电流限制内置过电压保护内部软启动输出可调0.6V 综合内部补偿半自动短时保护热保护 -40°C至85°C温度范围

标签：照明 | DC-DC | 人工智能 | 电子元器件 | 智能穿戴 |
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LabVIEW与PLC的OPC通信(三种方法)

上传时间：2020-12-20| 资源大小：1.48MB| 下载量：19| 上传者：yongxinxyz

【摘要】1. 如何在 PLC 端和 OPC Server 端对参数进行配置？ 2，为什么不能是其他的数字？ 3. 如何使用串口和以太网通过 OPC Server 对 PLC 进行访问

标签： Labview |
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120V SGT 低CISS 低内阻大电流响应速度快

上传时间：2020-11-09| 资源大小：658KB| 下载量：22| 上传者：dy-rLVF7Bwl

【摘要】120V SGT工艺的MOSFET，内阻10V 5.5ΩM(TYP) 产品同样内阻CISS会比传统的沟槽工艺低，响应速度快，在频繁开关的应用上会有优势，缺点就是扛雪崩能力会弱。

标签： LED电源 | DC-DC | MOSFET | 半导体 |
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硅动力SP6516FA

上传时间：2020-10-29| 资源大小：1.22MB| 下载量：31| 上传者：dy-jFrJaHs2

【摘要】功率管耐压60V，内阻5m欧，正负端整流，易过认证，自供电,CCM/DCM/QR反激拓扑。

标签：开关电源 | PWM | 反激 | 安规 | 数字电源 |
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硅动力SP2639

上传时间：2020-10-29| 资源大小：1.49MB| 下载量：14| 上传者：dy-jFrJaHs2

【摘要】输出功率12W，5V/2.4A，平均效率>85%,满足6级能效。平均待机功耗<75mW，满足欧盟CoCC V5标准，具有输出过流，输出过压，输出电路保护，过温保护等功能

标签： PWM | 电源模块 | 数字电源 | AC-DC | 电子元器件 |
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MOSFET 规格书解读与参数详解

上传时间：2020-10-12| 资源大小：2.53MB| 下载量：371| 上传者：XWei

【摘要】本资料由WinningTeam提供，主要介绍1.MOSFET 市场以及基础；2.MOSFET 工艺的发展；3.MOSFET 规格书上重要参数解读；4.MOSFET 选型原则与综合评估

标签： MOSFET | WinningTeam |
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两岸第三代半导体供应链整合与崛起

上传时间：2020-10-12| 资源大小：7.19MB| 下载量：33| 上传者：XWei

【摘要】本资料由WinningTeam提供，主题为两岸第三代半导体供应链整合与崛起，主要内容为1.第三代半导体产业拟写入中国十四五规划；2.两岸产业链近况;3.量产关键点;4.应用市场概况;5.汽车电子与 5G 需求 , 第三代半导体产业成长推手

标签：汽车电子 | 半导体 | 5G | WinningTeam |
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一个优良特性的MOS场效应管5N60参数

上传时间：2020-09-08| 资源大小：2.16MB| 下载量：46| 上传者：jsddz123

【摘要】MOS场效应管5N60参数，5.0A, 600V, RDS(on) = 2.5Ω @VGS = 10 V

标签： MOSFET |
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