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德鑫科技首颗单芯片设计200A电流等级MOSFET成功下线,500颗样品免费发放中(已发放完毕)

  • 2012-06-30 22:26
  • xzszrs

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  •       大家知道,MOSFET的电流等级需要越来越大,而电流越大的MOSFET设计难度也越大,制造工艺也越复杂。据我所知,国内某些半导体企业由于这些原因用常规的方法无法生产出大电流的MOSFET.因此另辟蹊径,把2颗小电流的MOSFET直接并联,这样电流就加倍了,这个工艺是在封装过程中实现的:在封装划片时,就把2个芯片一起切下,焊在一个底板上。相当于2个MOSFET的栅极,漏极和源极直接并联。大家知道,MOSFET的栅极,漏极和源极是可以直接并联的,但是要是栅极直接并联就不不是很妙了,特别是驱动线路比较长,驱动线路的分布电感会比较大时,因为栅极也直接并联导致了GD结的米勒电容加倍使栅极的振荡加剧,严重时可导致烧管。下面是一些同等电流电压等极MOFET单芯片和双芯片栅极波形的对比:

    栅极线路很短(大约2cm)时单芯片的栅极驱动波形:

     

     

     

    栅极线路很短(大约2cm)时双芯片并联的栅极驱动波形:

     

     

     

    可以看出这两个波形相差不大。

    栅极线路较长(大约20cm)时单芯片的栅极驱动波形:

     

     

     

     

     

    栅极线路较长(大约20cm)时双芯片并联的栅极驱动波形:

     

     

     

     

     

    可以看出尖峰一个是17.2V,一个是18.6V,相差1.4V之多。

     

    另外,采用双芯片直接并联的话,还会由于一致性的问题导致不均流和故障率增高。

     

    单芯片MOSFET和双芯片并联MOSFET的区分办法:

    在一般工厂和业余条件下要从芯片结构区分单芯片MOSFET和双芯片并联MOSFET还是比较困难的,但是也有一个非常简单又暴力的办法可以区分,就是砸开MOSFET,由于栅极电流很小,所以单芯片只要一根很细(约5mil)的引线就可以把芯片的栅极引到封装的栅极管脚。而双芯片内部是由2个芯片并联,自然就有2个栅极,而2个栅极之间是相互绝缘的,没有任何电气连接,所以只有每个栅极都用一条引线连接到封装的栅极管脚。

    所以只看栅极有几条引线就可以区分单芯片和双芯片并联MOSFET!

     

    同是电子工程师,请一定不要吝啬你的赞!

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  • xzszrs

    LV.1

    2012-06-30 23:32

    @783575297

    支持国产管子!也来申请几只!

    完全可以。

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  • javike

    LV.1

    2012-06-30 23:46

    @xzszrs

    完全可以。

    钟工,贴份规格书上来看下呀。。。。
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  • xzszrs

    LV.1

    2012-06-30 23:49

    @javike

    钟工,贴份规格书上来看下呀。。。。
    规格书在另外一台电脑,以后会贴出来的。
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  • 尤小翠

    LV.1

    2012-06-30 23:59

    @

    我还是学生

    能不能申请几个?

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  • 宛东骄子

    LV.1

    2012-06-30 23:59

    @xzszrs

    这颗单芯片的MOSFET,不像很多厂家一样牺牲其他性能追求低内阻,而是追求一种各项性能的平衡,适当地加强了雪崩耐量:

    下面是DX200N07的雪崩测试数据:

      

     

    可以看出雪崩耐量在1J以上!

    下面是DX190N08的雪崩测试数据:

     

     

    可以看出雪崩耐量也在1J以上!

    我的排列是,雪崩耐量,内阻,耐压!
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  • bg4ajt

    LV.1

    2012-07-01 01:22

    @尤小翠

    我还是学生

    能不能申请几个?

    钟工:我要10个 DX190N08的试试,上海申雄电子,上海市虹口区梧州路218弄6号1501室  T:15902166444   李杰

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  • wlen0104

    LV.1

    2012-07-01 01:40

    @

    先谢谢钟工。。本人在校大二学生,电气自动化系,望能申请10个。。

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  • qmq77520

    LV.1

    2012-07-01 03:24

    @xzszrs

    这颗单芯片200A电流等级的系列MOFET,电压等级有标称电压有40V,60V,70V,80V,100V,120V。首先下线的有DX200N07和DX190N08这两颗,首批TO-220封装,芯片面积4mm*5mm(单芯片整体设计芯片面积利用率比较高)。需要的请大家回个贴并发详细联系方式到本人站内短信,每人可以领取1-10颗,2个型号可以任意自选,每种500颗,送完为止,先要先得,快递费自理,实在偏远的,快递无法到达的请见谅!

    每5-10天统计一次,发货一次。

     

    规格书:

    DX200N07 

     

    DX190N08 

    钟工,我是业余玩玩的不知道能不能申请十颗dx190n08r来代替我这些报废的fqa170n06谢谢
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  • qmq77520

    LV.1

    2012-07-01 03:40

    @xzszrs

    这颗单芯片200A电流等级的系列MOFET,电压等级有标称电压有40V,60V,70V,80V,100V,120V。首先下线的有DX200N07和DX190N08这两颗,首批TO-220封装,芯片面积4mm*5mm(单芯片整体设计芯片面积利用率比较高)。需要的请大家回个贴并发详细联系方式到本人站内短信,每人可以领取1-10颗,2个型号可以任意自选,每种500颗,送完为止,先要先得,快递费自理,实在偏远的,快递无法到达的请见谅!

    每5-10天统计一次,发货一次。

     

    规格书:

    DX200N07 

     

    DX190N08 

    钟工;我是业余玩玩的不知道能不能申请10颗DX190N08R的管子来替代FQA170N06谢谢
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  • 神舟八号

    LV.1

    2012-07-01 07:08

    @wlen0104

    先谢谢钟工。。本人在校大二学生,电气自动化系,望能申请10个。。

    我也申请10只DX200N07国产牛管,做个24V3000W逆变器,支持国货。
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