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【原创】说说正激变压器(二)

  • 2011-10-21 13:24
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  • 今年3月份的时候发了个正激变压器的讨论帖,反响良好,讨论也很热烈

    【讨论】说说正激变压器(一)

    但由于帖子太长,回复超过了600贴,大家看帖子不太方便,所以重新开一帖

    本帖的内容跟上一帖略有不同,主要说说正激变压器的计算,变压器绕法,复位方式,分布参数等内容

    同是电子工程师,请一定不要吝啬你的赞!

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  • 心中有冰

    LV.1

    2011-10-24 17:19

    @yangwenjie

    希望冰版先给个简单实用的参考计算。
    后面会有计算实例的,请继续关注
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  • 心中有冰

    LV.1

    2011-10-24 17:23

    @kinto

    一直有个问题:正激很少用在全电压的范围,是因为占空比变化过大吗,还是其它原因?请高手讲解

    是的,占空比的变化太大就会使次级的电感设计变得麻烦

    你可以试着计算全电压范围输入时,次级占空比变化的范围,然后去计算下次级储能电感,你会慢慢明白的

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  • 乔#老#爷

    LV.1

    2011-10-25 01:45

    @心中有冰

    乔兄做正激应该是有很强的实践经验,请指导。

    哪里敢说指导啊!有时间的话在里面凑凑热闹而已,最近实在是太忙了,忙完这阵子再在里面搅和搅和啊,还有好多问题得请教老弟你呢

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  • RGBE1888

    LV.1

    2011-10-26 10:43

    @心中有冰

    是的,占空比的变化太大就会使次级的电感设计变得麻烦

    你可以试着计算全电压范围输入时,次级占空比变化的范围,然后去计算下次级储能电感,你会慢慢明白的

    要想全电压就得加上有源PFC是吗?
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  • 求学者

    LV.1

    2011-10-26 18:53

    @心中有冰

    其次,从降低漏感与分布电容的角度出发,应该选择骨架宽度较宽的变压器磁芯跟骨架,这样单层绕线的匝数会更多,有利于降低绕线层数,从而降低漏感与分布电容,关于漏感的问题,我们在后面再展开讨论

    再次,还要从通用性与经济性的角度来考虑,这是工程设计中无法回避的现实问题。

    当然还有安规,EMI,温升,绕法等一些问题需要考虑

    冰斑:您好!非常感谢您。很幸运在我设计第一款单管正激时遇到了您开的这个帖子。受益良多。

    眼前有个问题想请教:我的设计输出功率是200W,用的是EER35/42/11   电源输出55V左右,F=70K 匝数为50:40  无风冷。

    这个参数我实验了很多种绕制方法发现:采用1/2NP NS 1/2NP无气隙(RCD复位) 电源效率是相对理想的(88%)。一旦开气隙或加复位绕组或者您前面讲的顺序绕法等5、6种绕法,输入功耗会增加5--8W,并且VDS也增高了不少。

    我很想用牺牲效率的办法换来可靠性。但经验欠缺不知如何取舍。请冰斑指点个相对优化的绕法。感谢先!

     

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  • hskfly

    LV.1

    2011-10-26 22:52

    @晶熔铁

    我替冰版开个头,先说说输入输出电压的计算方法与漏感之间的关系吧...

    简化的输入输出计算公式是 Vout=Vin*Ns/Np*D ,当然实用时是不太精确的。

    由于漏感导致的占空比丢失,即实际的“D”已非开关管导通的“D”。

    你好,请问漏感导致的占空比丢失这句话怎么理解呢,漏感是如何导致占空比丢失的,谢谢
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  • qinzutaim

    LV.1

    2011-10-27 08:42

    @心中有冰

    中午吃完饭继续

    上面扯了一堆都没有真正说到变压器上面来,下面开始说变压器

    第一个需要面对的就是变压器骨架与磁芯的选择,其需要考虑的因素实在太多,我们列举其中一部分来讨论下:

    首先用Ap法(磁芯面积乘积法)来计算变压器的AP值:

    AP=AW*Ae=(Ps*10^4)/(2ΔB*fs*J*Ku)

    AW:  core之窗口面积. ( cm^2);Ae:   core有效截面积 . ( cm^2);Ps :   变压器传递视在功率 ( W )     Ps=Po/η+Po  (正激式);ΔB:   磁感应增量  ( T ); fs :   变压器工作频率    ( HZ ); J :    电流密度 ( A ) .根据散热方式不同可取300~1000 A/cm^2;Ku:  磁芯窗口系数. 可取0.2-0.4.

    对于上式Ap算法得到的值,跟实际使用的变压器AP值相差较远,所以被人广泛诟病。其实产生误差的根本原因是,上式基本上都是在工程应用中才有优化近似而得到的,所以有些参数是较为理想,而实际使用中很多的参数是变化的,甚至还有些分布参数在“捣乱”,所以造成了偏差,在实际使用在还要考虑到余量,所以对于计算得到的Ap值乘上一个1.5-2的系数比较合理

    占个位听课

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  • chenhaijun9797

    LV.1

    2011-10-27 11:31

    @求学者

    冰斑:您好!非常感谢您。很幸运在我设计第一款单管正激时遇到了您开的这个帖子。受益良多。

    眼前有个问题想请教:我的设计输出功率是200W,用的是EER35/42/11   电源输出55V左右,F=70K 匝数为50:40  无风冷。

    这个参数我实验了很多种绕制方法发现:采用1/2NP NS 1/2NP无气隙(RCD复位) 电源效率是相对理想的(88%)。一旦开气隙或加复位绕组或者您前面讲的顺序绕法等5、6种绕法,输入功耗会增加5--8W,并且VDS也增高了不少。

    我很想用牺牲效率的办法换来可靠性。但经验欠缺不知如何取舍。请冰斑指点个相对优化的绕法。感谢先!

     

    我想问一下军长,如果用了复位绕组,还要不要加RCD吸收回路呢?
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  • 世界真奇妙

    LV.1

    2011-10-28 10:42

    @chenhaijun9797

    我想问一下军长,如果用了复位绕组,还要不要加RCD吸收回路呢?
    要不要加RCD吸收回路,要看MOS管有没有电压尖峰;有没有电压尖峰,尖峰有多少,受到一些不确定的因素影响,如:变压器漏感,引线电感等等。
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  • huchuyou

    LV.1

    2011-10-28 11:58

    @

    好贴,顶心中有冰老师!!下次到上海来上课的时候应该告诉我一下,我来捧场哦!上次在上海讲的真的太精彩了!!!

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