RC是器缓冲作用，RCD的作用是钳位，这样二极管的电压肯定会下降的，但是功耗是不是会上升呢。

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看不出你这两幅图有什么不同啊。。。。 请问R C的值怎么选取呢？

如果是此处的RC吸收电路参数设计的话，参考帖：http://bbs.dianyuan.com/topic/200377 ，那里有比较详细的说明；

此处的RCD吸收设计，可以这样认为：为了吸收振荡尖峰，C应该有足够的容值，已便在吸收尖峰能量后，电容上的电压不会太高，为了平衡电容上的能量，电阻R需将存储在电容C中的漏感能量消耗掉，所以理想的参数搭配，是电阻消耗的能量刚好等于漏感尖峰中的能量(此时电容C端电压刚好等于Uin/N+Uo)，因为漏感尖峰能量有很多不确定因素，计算法很难凑效，所以下面介绍一种实验方法来设计

1.选一个大些的电容(如100nF)做电容C，D选取一个够耐压>1.5*(Uin/N+Uo)的超快恢复二极管（如1N4148）；

2.可以选一个较小的电阻10K，1W电阻做吸收的R；

3.逐渐加大负载，并观察电容C端电压与整流管尖峰电压：

如C上电压纹波大于平均值的20%，需加大C值；

如满载时，C端电压高于Uin/N+Uo太多（20%以上，根据整流管耐压而定）,说明吸收太弱，需减小电阻R；

如满载时，C上电压低于或等于Uin/N+Uo，说明吸收太强，需加大电阻R；

如满载时C上电压略高于Uin/N+Uo（5%~10%，根据整流管耐压而定），可视为设计参数合理；

在不同输入电压下，再验证参数是否合理，最终选取合适的参数。