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打开高效能源之门的钥匙——英飞凌氮化镓CoolGan功率器件测评

  • 2019-06-13 10:20
  • javike

    LV.3
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  • 提到氮化镓功率管,电源工程师们都知道它的速度快,频带高,但还是会觉得有些陌生。其实氮化镓工艺早就在LED和射频晶体管领域得到了多年的应用。

    氮化镓是一种宽禁带半导体材料(WBG),与硅等传统的半导体材料相比,它能够让器件在更高的饱和电子迁移率、频率和电压下运行。氮化镓和硅的截面图,硅是垂直型的结构,氮化镓是平面型的结构,在结构上有本质的不同。硅的带隙是1.1电子伏特,氮化镓是3.4电子伏特。氮化镓已经在60年代应用于LED产品中,只是在电源类产品中在近几年被慢慢市场开始接受。


    英飞凌是目前唯一覆盖普通硅、碳化硅、氮化镓三种工艺的功率管的公司。提到英飞凌,大家都知道他的CoolMOS Mosfet。笔者最近拿到了英飞凌推出的CoolGaN™ 产品——IGO60R070,下面分享给大家。

    T1

    T2




     CoolGaN™能工作在更高的频率下,那么,在高频下的应用该如何设计呢?CoolGaN™该如何驱动比较合适呢?

     

         下面我们先来对比一下基于普通硅工艺、碳化硅、氮化镓3种工艺的功率管的驱动特性:

    3



    上图测试的是英飞凌的一款CoolMOS™(IPW60R040C7)的IV曲线,设置Vgs-2V+5V下的Vds0-21V下的Ids曲线。

    从图中可以看出, 在Vds15V左右时,Vgs>=4V进入完全导通状态。

     

    再看看碳化硅工艺的功率管:

    4



    碳化硅功率管在Vds=20VVgs=4V时还未能进入完全导通的状态,但在Vds=2V左右时,Vgs=4.5V就进入完全导通的状态了。

     

    再看看氮化镓工艺的CoolGaN IGO60R070D1:

    5



    从图中可以看出,在Vgs-2V+5V整个范围内,CoolGaN IGO60R070D1均未完全导通,即使在VDS=21VVgs=5V时,Ids也不到300uA.



    这是为什么呢?




    作为电源工程师,大家都知道MosfetSicfet的规格书都会提供类似的IV曲线,先来看看现在测试的这颗英飞凌的IPW60R040C7 Mosfet的规格书:IPW60R040C7


    MOSFET2


    IPW60R040C7的规格书中明确的给出了不同Vgs电压下的IV曲线,不同的是原厂采用的是更大电流的仪表来进行测量的。

     

    我们再来看一下这款CoolGaN IGO60R070D1的规格书:IGT60R070D1

    然而规格书中并未给出不同Vgs电压下的IV曲线,但是给出了不同Igs电流下的IV曲线:

    GAN1



    我们知道MosfetSicfet都属于电压型控制功率器件,那么,CoolGaN™是属于电流型控制器件吗?

    我们先看看IGO60R070D1规格书中给出的电流条件:

    GAN2




    接下来测试一下不同IgsIGO60R070D1IV曲线:

    6



    规格书给出的驱动所需要的最大平均电流是20mA,设置Vgs电压限制为5V,测试Igs电流从0.1mA15mAIV曲线如上图。

    从图中可以看出,IgsIds的线性关系还是比较好的,在Igs=14mAVds>15V进入完全导通状态,在Igs=15mAVds>11V进入完全导通状态。

     

         好吧,这能说明CoolGaN™是电流型控制器件吗?

        

    接下来再对比一下MosfetSicfetCoolGaN™驱动的IV曲线:

    7




    设定Vds15-20V,测试Vgs电压从-5V+5V时的Igs电流。上图是IPW60R040C7 Mosfet的驱动电压和电流的IV曲线。

    从图中可以看出,IPW60R040C7只有VgsMosfetVth 附近才会出现一个较大的电流,其实也就是驱动所需要的电流,但这个电流最大也不超过0.7uA。远小于CoolGaN™ 的15mA.

     

    再看看Sicfet驱动的IV曲线:

    8



    同样是设定Vds15-20V,测试Vgs电压从-5V+5V时的Igs电流。

    Sicfet的驱动IV曲线和Mosfet相差还是比较大的,在Vgs-5V时的漏电流相对较大,达到了0.35uA,大于-4V以上就很小了,一直到+5V时完Sicfet全开通都没有出现较大的电流,基本在10nA以内。

     

    再来看看CoolGaNIGO60R070D1,既然CoolGaN™是电流型控制,那么我们来看看测试不同Igs下驱动Vgs的电压的IV曲线:

     

    设定Vds15-20V,测试Igs电流从-15mA+15mA时的Vgs电压的IV曲线

    9

    从图中可以看出,CoolGaNIGO60R070D1正负电流驱动的对称性非常好,而且趋势非常明显,在电流满足的情况下,需要的Vgs电压也非常低。

     

    可以定义CoolGaN™为电流型控制功率器件了吗?不过其需要的驱动电流也并不大,只需要不到20mA.




    。。。。。下接第13帖。。。。。。

    同是电子工程师,请一定不要吝啬你的赞!

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  • dr123

    LV.1

    2019-06-19 13:04

    @xxbw6868

    对于H桥的电路,这类产品的开关频率很多都要求达到MHz级别,普通的碳化硅MOS管性能就不能满足要求。CoolGaN这类管网上看资料说开关频率最高可以到7MHz,所以这个开关频率应用在H桥逆变电路非常适合,可以显著其提高功率和开关频率。IGO60R070D1手册中没看到最高开关频率多少的参数?是多少呢?
    碳化硅这个管子体积蛮大的,看参数,频率,损耗都蛮好的,后面体积在进一步缩小,能够应用在更大的大项目上,还是很支持英飞凌的coolgan,目前也在开始试用。
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  • ddgkss_131

    LV.1

    2019-06-19 15:44

    @javike

    。。。上接第13帖。。。



    再实测一下基于英飞凌CoolGaN™的无桥PFC电源:

            _T_01315



    工作条件:

    输入电压:AC 85-265V 50/60HZ

    输出电压:DC 390V

    输出功率:2500W (低压输入时功率降额)

    更多详细数据请参考英飞凌的应用文档:2500W_CCM_Totem-Pole_PFC.pdf

    _T_01316



    从实物来看,不同于很多其他品牌的DEMO的地方,很多其他品牌DEMO在为了衬托其高功率密度时,铆足了劲的跑高频,没有做EMI方面的考虑,甚至连EMI部分的电路都直接没有,

    英飞凌这款基于CoolGaN™的无桥PFCEMI部分占据了大约1/4的空间,先来看看他的EMI的表现:

    P1


    按照EN55022的标准来看,基于CoolGaN™的无桥PFC的传导表现还是非常棒的。余量完全满足相对严格的要求(6dB以上余量)。

     

    再来看看他的效率表现:


    EFF3



    热机1小时后,在15%负载以上效率均在99%左右,输出860W时效率高达99.48%2510W时效率仍高达99%,损耗仅仅只有25.1W,温升不用测了的节奏。

     

    附上电路图:

             Z1



    这款基于CoolGaN™的无桥PFC采用的是比较新的图腾柱式PFC拓扑,CoolGaN™工艺决定了其没有寄生二极管,电流可以双向流动,

    而且完全没有任何反向恢复电荷,这也是传统的MosfetSicfet无法比拟的,所以图腾柱式PFCCoolGaN™是完美的设计组合。

     

    再来看看工作的波形:

             HB-LLC001_000



    1、2通道为CoolGaNIGO60R070D165KHz开关频率下Vds电压波形;

    3、4通道为CoolMOSIPT65R033G750Hz开关频率下的Vds电压波形;

    5、7通道为输入电压和电流波形;

    8 通道为PFC电感电流的波形。

     

    这款基于CoolGaN™的无桥PFC采用的是英飞凌的模拟控制器ICE3PCS01G,工作在CCM状态,能获得更低的纹波电流和更高的功率因数以及更好的THD

     

    当然,毕竟还是硬开关的工作状态,所以对开关管的可靠性要求也很高,特别是2颗工作在高频65KHz下的CoolGaNIGO60R070D1功率管。

    CoolGaNIGO60R070D1不仅开关速度快,而且没有反向恢复损耗的问题,成为图腾柱式CCM无桥PFC的理想应用器件。



    展开看看:

            HB-LLC001_004


    输入电流的正弦波非常漂亮,开关没有任何尖峰。


    。。。下接第56帖。。。



    英飞凌的功率器件主要采用分立式+外部驱动器、对于对驱动单一是最优的选择,还有多片集成的应用封装类型,这对于考虑到结构空间有要求的设计来说非常便捷,而且对应的功率器件节省成本,另外还有单片集成的,即将GaN的开关、驱动和其他器件作为同衬底进行集成,这三种方式可以应用不同的方案设计,从功能性角度来讲分立式+外部驱动器成熟度最好多片集成和单片集成中体现出价格成本,空间及应用等优势,因而拙见成为趋势。

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  • 吴东波

    LV.1

    2019-06-19 15:57

    @

    英飞凌的功率器件在应用中是相当成熟,而且在功率驱动器件的适应范围非常宽,可以应用不同的电压环境设计,-尤其可以对高压下进行高频且无损耗的开关,可以降低整个电源系统的成本,提高电源的转化效率,对小空间高密度的设计要求可以选择单片集成或者多片集成的功率器件,更好的体现散热性能
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  • yl20102010

    LV.1

    2019-06-19 16:52

    @吴东波

    英飞凌的功率器件在应用中是相当成熟,而且在功率驱动器件的适应范围非常宽,可以应用不同的电压环境设计,-尤其可以对高压下进行高频且无损耗的开关,可以降低整个电源系统的成本,提高电源的转化效率,对小空间高密度的设计要求可以选择单片集成或者多片集成的功率器件,更好的体现散热性能

    英飞凌的工艺和品质的确不错,当然价格也不便宜。

    IGO60R070D1能承受125W的功率损耗,还是很能扛的!

    英飞凌在氮化镓方面的工艺是行业领先的,IGO60R070D1没有寄生二极管,这是传统的Mosfet和Sicfet无法比拟的。

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  • tabing_dt

    LV.1

    2019-06-19 21:01

    @javike

    。。。上接第1帖。。。  


    在电路设计中我们知道,弱电流信号往往比弱电压信号的抗干扰能力更强,所以,CoolGaN™在电源中应用会比MosfetSicfet更稳定和可靠。

    不过在高频开关电源的应用中,还是需要按常规做法做到驱动回路尽量短小,将驱动线路中的寄生电感降低至最小,毕竟电感会抑制电流的上升。

    同时,由于CoolGaN™的导通域值比较低,所以在高DV/DT和高DI/DT电路中,还是有必要在开关瞬间加入负压关断来抑制干扰。

    建议采用英飞凌推出的CoolGaN™ 专用驱动芯片1EDF5673K、1EDF5673F和1EDS5663H,其不同于传统功率MOSFET的栅极驱动IC,这个针对英飞凌CoolGaN™量身定制的栅极驱动IC可提供负输出电压,以快速关断氮化镓开关。

    在开关应处于关闭状态的整个持续时间内,GaN EiceDRIVER IC可以使栅极电压稳定保持为零。

    这可保护氮化镓开关不受噪音导致误接通的影响,哪怕是首脉冲,这对于开关电源实现强健运行至关重要。

    氮化镓栅极驱动IC可实现恒定的GaN HEMT开关转换速率,几乎不受工作循环或开关速度影响。

    这可确保运行稳健性和很高能效,大大缩短研发周期。

    它集成了电隔离,可在硬开关和软开关应用中实现强健运行。

    它还可在开关电源的一次侧和二次侧之间提供保护,并可根据需要在功率级与逻辑级之间提供保护。

    NeoImage_副本



    这款就是采用英飞凌CoolGaNIGO60R070D1和专用驱动IC 1EDF5673K的半桥Demo。下面采用这款Demo来实测一下CoolGaN™的效果。

    _T_01341

    首先,按照英飞凌原厂的参数接入一个12uH的电感形成一个同步Buck的电源。

    41GHz带宽的普通无源探头分别测量信号发生器输入的1.5MHz时钟信号、

    经过门电路生成2路互补的PWM信号送到1EDF5673K的输入端的信号、

    1EDF5673K输出给IGO60R070D1的下管驱动信号;

    11GHz带宽的有源中压差分探头测量另1个1EDF5673K输出给IGO60R070D1上管的驱动信号;

    2200MHz的有源差分探头分别测量IGO60R070D1上下管的Vds电压波形,

    1120MHz带宽的电流探头测量电感电流。  

    _T_01342


    再看看板子背面的IGO60R070D1

    _T_01344



    加上散热器再来个特写:

    _T_01343




    来看看测试波形:

    HB-LLC001_001



    1通道为信号发生器注入的1.5MHz时钟信号。

    2、3通道为采用逻辑门生成的2路交错的PWM信号。

    4、5通道为下管和上管的Vgs驱动电压波形。

    6、7通道为下管和上管的Vds电压波形

    8通道为电感电流波形。

    HB-LLC001_003



    从波形中可以看出:

    1EDF5673K输出给IGO60R070D1的驱动信号是包含负压的,

    而且这个负压并不是持续关断CoolGaN™的,而是等另一个管关断后会回升到0V来保持的,

    这样一来,既避免因为DV/DTDI/DT导致的干扰误动作,也进一步降低了关断维持的损耗。

    所需要的驱动电压很低,而且测得的驱动信号上升沿非常快,只有7nS左右。

       Vds电压可能是因为差分探头测量线长的原因,有点震荡。


    HB-LLC001_006



    Vds测量通道的带宽限制到20MHz就很漂亮了。

     

    另外,采用这款半桥的Demo还可以接成Boost,甚至LLC拓扑进行测试。

    HB-LLC001_013



    上图就是采用这款Demo做的开环半桥LLC电源,稳定工作频率达到了4.5MHz


    基于CoolGaN™的更高频率等你来挑战。。。


    。。。下接第20帖。。。


       氮化镓(GaN)超越了硅的基本优势。特别是较高临界的电场对于具有出色的特定导通电阻和较小的电容的功率半导体器件来说非常有吸引力。与硅开关相比,GaN HEMT更适合高速开关。也就是开关频率比较高,这么高的工作频率对电源的反馈环路有什么要求?还有如果频率达到M级别的工作频率,对变压器的磁芯选择有没有什么特殊要求?
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  • riang2006

    LV.1

    2019-06-19 21:33

    @跳跳虎的一天

    GaN功率器件的导通电阻比Si Mosfet的导通电阻要小一些,产生的开关损耗也要小,在散热的处理上氮化镓功率器件可实现更小的设计体积。栅极电荷越小,越有利于减小导通延迟,加快转换速度,减小导通损耗。相比Si半导体功率器件和Si超结MOSFET以及碳化硅半导体功率器件,开关速度更快,通态电阻也更小,可以实现高功率密度的发展方向。
    半导体的发展历程第一代半导体是Si和Ge,第二代以砷化镓GaAs为主,发展到第三代目前主要是碳化硅SiC和氮化镓GaN,CoolGaN的优点很多,比如GoolGaN的开关速度比Si不是一个数量级的,开关快时即使硬开关,损耗也比硅小很多很多,要发挥CoolGaN的极致开关速度;估计辐射也是相当麻烦,我想问下这种管子除了成本高有没有什么缺点?
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  • 小燕纸

    LV.1

    2019-06-21 09:15

    @

    可以看出CoolGan功率器件有很多优点,那它的劣势是哪方面,除了价格?另外想知道有没有VDS在一百多伏、耗散功率较大的CoolGan 管子,这类管子是否适合做电子负载的功率器件,封装有没有双面散热类型的呢?
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  • fhtx123

    LV.1

    2019-06-21 20:15

    @dr123

    碳化硅这个管子体积蛮大的,看参数,频率,损耗都蛮好的,后面体积在进一步缩小,能够应用在更大的大项目上,还是很支持英飞凌的coolgan,目前也在开始试用。
    测试是大器件,未来小功率的dcdc会不会有小功率的ganmos,这样对dcdc的效率提高是很有帮助的,从测评来看,非常好,支持英飞凌。
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  • dianyuanxyz

    LV.1

    2019-06-21 20:24

    @EDSTRNDDF

    这效率和波波
    在高频率小,能够这么容易的做到emi测试,非常不错,各种器件都会大大缩小,未来gan能带起igbt吗,不需要那么复杂的驱动电路?
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  • gongkpwer

    LV.1

    2019-06-21 20:34

    @javike

    。。。上接第13帖。。。



    再实测一下基于英飞凌CoolGaN™的无桥PFC电源:

            _T_01315



    工作条件:

    输入电压:AC 85-265V 50/60HZ

    输出电压:DC 390V

    输出功率:2500W (低压输入时功率降额)

    更多详细数据请参考英飞凌的应用文档:2500W_CCM_Totem-Pole_PFC.pdf

    _T_01316



    从实物来看,不同于很多其他品牌的DEMO的地方,很多其他品牌DEMO在为了衬托其高功率密度时,铆足了劲的跑高频,没有做EMI方面的考虑,甚至连EMI部分的电路都直接没有,

    英飞凌这款基于CoolGaN™的无桥PFCEMI部分占据了大约1/4的空间,先来看看他的EMI的表现:

    P1


    按照EN55022的标准来看,基于CoolGaN™的无桥PFC的传导表现还是非常棒的。余量完全满足相对严格的要求(6dB以上余量)。

     

    再来看看他的效率表现:


    EFF3



    热机1小时后,在15%负载以上效率均在99%左右,输出860W时效率高达99.48%2510W时效率仍高达99%,损耗仅仅只有25.1W,温升不用测了的节奏。

     

    附上电路图:

             Z1



    这款基于CoolGaN™的无桥PFC采用的是比较新的图腾柱式PFC拓扑,CoolGaN™工艺决定了其没有寄生二极管,电流可以双向流动,

    而且完全没有任何反向恢复电荷,这也是传统的MosfetSicfet无法比拟的,所以图腾柱式PFCCoolGaN™是完美的设计组合。

     

    再来看看工作的波形:

             HB-LLC001_000



    1、2通道为CoolGaNIGO60R070D165KHz开关频率下Vds电压波形;

    3、4通道为CoolMOSIPT65R033G750Hz开关频率下的Vds电压波形;

    5、7通道为输入电压和电流波形;

    8 通道为PFC电感电流的波形。

     

    这款基于CoolGaN™的无桥PFC采用的是英飞凌的模拟控制器ICE3PCS01G,工作在CCM状态,能获得更低的纹波电流和更高的功率因数以及更好的THD

     

    当然,毕竟还是硬开关的工作状态,所以对开关管的可靠性要求也很高,特别是2颗工作在高频65KHz下的CoolGaNIGO60R070D1功率管。

    CoolGaNIGO60R070D1不仅开关速度快,而且没有反向恢复损耗的问题,成为图腾柱式CCM无桥PFC的理想应用器件。



    展开看看:

            HB-LLC001_004


    输入电流的正弦波非常漂亮,开关没有任何尖峰。


    。。。下接第56帖。。。



    测评很精彩,各种指标都很不错,不知这个器件现在价格咋样,还需要多久能够和普通mos价格差不多,做到又好用性价比又好的产品。让大多数客户满意。
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