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  • 请各位分析一下这个电路

    • 请各位分析一下这个电路

  • 2003-09-24 10:16

    • whualei

    LV.0

  • 1.2w

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    • 请各位分析一下这个电路
    图中D1,C1和R1起什么作用?

    同是电子工程师，请一定不要吝啬你的赞！

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  • shdoqi

    LV.1

    2003-09-29 22:32

    @ridgewang

    是用MOS代替整流桥的全波整流电路
    MOS是倒过来用的(S在前,D在后),正脉冲来时,MOS的体二极管导通,同时驱动电路(15伏)加在MOS的G端,把该二极管短路.此电路为同步整流的一种方式,主要是降低功耗.
    不对
    正常工作时与MOS的体二极管无关,MOS的体二极管是在带感性负载时续流用的
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  • shdoqi

    LV.1

    2003-09-29 22:33

    @whualei

    不是吧?
    好像不是吧,mosfet的体二极管是用来续流的.虽然我也不太明白续流是怎么一回事.
    对是续流用的
    同题
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  • shdoqi

    LV.1

    2003-09-29 22:38

    @ridgewang

    这个电路应该只是个示意图
    实际应用还有很多东西.比如高压隔离的问题没有解决,实际搭电路要烧东西.
    不会烧
    只要分析清楚是不会烧东西的,我第一次看到这电路我就敢给客户更改更合理的参数,而不用作试验,如果出问题对我来说就是下岗,但我清楚我不会.
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  • shdoqi

    LV.1

    2003-09-29 22:39

    @whualei

    这是一个dc-ac逆变电路
    控制信号为pwm信号,驱动四个mosfet交替开关,产生交流电压.处于死区时,体二极管续流,不知对否?
    对,在有感性负载时
    对
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  • shdoqi

    LV.1

    2003-09-29 22:45

    @whualei

    请问怎么隔离,我确实烧了好几个mos
    .
    你用什么负载
    不能用很大的容性负载作EMI滤波,和整流后不能接大的容性负载,这样的电路最好直接带变压器
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  • shdoqi

    LV.1

    2003-09-29 22:48

    @ridgewang

    他的电路是高低压不共地的
    你下面的分析我看了,有点问题.MOS管QD1的导通与否和300伏的输入电压没有任何关系(其他管子也一样).只决定于其GS间的电压,这个电路是利用C1的能量加在GS端实现导通的.把D1换成稳压二极管当然也可以,但正向并非没有用.
    高底压地是要共地的
    高底压地是要共地的,必须要共地,不然不会工作.这点没任何考虑的余地.
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  • shdoqi

    LV.1

    2003-09-29 22:50

    @whualei

    可直接共地.
    15V和300V可以共地.我就是把他们一起接地的.
    谢谢各位指教,受益匪浅!
    必须共地,而不是可以
    必须共地,而不是可以,可能楼主没有表达清楚,但高底压必须共地,而非可以.
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  • shdoqi

    LV.1

    2003-09-29 22:52

    @ridgewang

    DC作为输入的话,象自举电路,但不明白怎么自举?
    是不是解破别人的电路?有没有遗漏,或者连错的地方?输出的中间是不是接变压器?
    电路不全,但没有错误
    电路不全,但没有错误
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  • shdoqi

    LV.1

    2003-09-29 22:57

    @zhangchuan

    是自举电路,不过图好象有错
    此电路是DC-AC的输出部分.具体工做如下:
    1.首先这是桥试输出电路,输出MOS是交替导通.当左边为低电平,右为高电平时,15V电压经DD1给C1充电.当左边为高电平,右边为低电平时,15V电压经D7给C7充电.左边为高电压(300V)时,QD1控制极电压为300+UC1,电压高于300V,QD1 MOS导通.二极管D1,D7(接在MOS控制极上的)不会导通,应该是12V稳压二极管,起保护用.电阻R1,R7是两只三极管的负载电阻.MOS的体内二极管导通与负载的性质有关.以后铁图要把元件的序号标好,不要重复.不然叙述太麻烦.
    对D1、D7功能描述完全错误
    对D1、D7功能描述完全错误
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  • shdoqi

    LV.1

    2003-09-29 23:06

    @flyeagle

    好象不对劲
    好象应该是这样:这确实是逆变,工作过程是(只说左边):当控制信号为高,Q管和下面的MOSFET导通,15V通过DD1,C1和下面的MOSFET回路给C1充电,这是交流输出点为地电位(此时右边电路过程相反,交流输出为正电位),控制信号为低,Q管和下面的MOSFET关,C1通过R1放电启动上面的MOSFET,交流输出正(此时右边电路工作状态相反,输出为地电位),不只是否正确,一家之言.
    非常正确
    非常正确
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