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  • 请各位分析一下这个电路

    • 请各位分析一下这个电路

  • 2003-09-24 10:16

    • whualei

    LV.0

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    • 请各位分析一下这个电路
    图中D1,C1和R1起什么作用?

    同是电子工程师，请一定不要吝啬你的赞！

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  • 我爱电源

    LV.1

    2003-09-27 12:22

    @ridgewang

    我就罗嗦点
    当控制信号为高时,Q1导通15付通过DD1,D1给C1充电.当控制信号为低时,Q1截止.C1上的充电电压,通过R1加在MOS的GS间使之导通.此时D1被反偏而截止.说白了就是利用给电容的冲放电支路不同,来实现能量的转移.
    确实如此
    确实如此.该电路在小功率逆变器中常用,只是该图的dd1及三极管的耐压要较高.对220V交流电,应大于500V.
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  • ridgewang

    LV.1

    2003-09-27 14:31

    @zhangchuan

    不共地就麻烦
    300V电压与MOS导通与否是没关系,只是我想说名MOS导通时其控制极电压有多高.二极管D1正向本来就没用,给电容充电回路是经过下面的MOS管到地.
    15伏的地在上面.
    和300伏的地不同.
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  • zhangchuan

    LV.1

    2003-09-28 08:18

    @ridgewang

    15伏的地在上面.
    和300伏的地不同.
    加光藕
    如果是这样就要加变压器或光耦隔离.这样自举就没有意义,在共地时才用上述的自举电路.
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  • whualei

    LV.1

    2003-09-28 10:07

    @ridgewang

    15伏的地在上面.
    和300伏的地不同.
    可直接共地.
    15V和300V可以共地.我就是把他们一起接地的.
    谢谢各位指教,受益匪浅!
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  • flyeagle

    LV.1

    2003-09-28 12:56

    @ridgewang

    我就罗嗦点
    当控制信号为高时,Q1导通15付通过DD1,D1给C1充电.当控制信号为低时,Q1截止.C1上的充电电压,通过R1加在MOS的GS间使之导通.此时D1被反偏而截止.说白了就是利用给电容的冲放电支路不同,来实现能量的转移.
    好象不对劲
    好象应该是这样:这确实是逆变,工作过程是(只说左边):当控制信号为高,Q管和下面的MOSFET导通,15V通过DD1,C1和下面的MOSFET回路给C1充电,这是交流输出点为地电位(此时右边电路过程相反,交流输出为正电位),控制信号为低,Q管和下面的MOSFET关,C1通过R1放电启动上面的MOSFET,交流输出正(此时右边电路工作状态相反,输出为地电位),不只是否正确,一家之言.
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  • whualei

    LV.1

    2003-09-29 10:04

    @ridgewang

    如果只是烧MOS,可能不是高压烧的.
    始终觉得不安全.建议放弃这种驱动方式,用驱动IC,IR2110或IR2120.
    ir2110成本高吗?
    .
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  • shdoqi

    LV.1

    2003-09-29 22:02

    @

    这是自举电路
    我在用户处看到了这个电路(用户自己根本不理解),这电路迷惑了我5分钟,5分钟后我给我的用户分析了电路原理,注意事项,电路中的不合理处,和各元件该有的参数,,后来客户按找我的参数进行了修改,主要问题在于对于共态道通的安全性考虑.论坛里很多人对这个问题的回答很正确,这是一个直流到交流(方波)的全桥变换电路,小功率场合使用.这个电路里面的4148是不够耐压的,他和三极管的耐压必须是二个电压之和之上,这个电路主要解决了上桥的驱动问题,可以不用变压器,可以保持上桥驱动电压的恒定性,特别适合于MOSFET的驱动,(适合电压型器件,不适合电流型驱动),向设计该电路的真正的高手致敬.
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  • shdoqi

    LV.1

    2003-09-29 22:04

    @zhangchuan

    是自举电路,不过图好象有错
    此电路是DC-AC的输出部分.具体工做如下:
    1.首先这是桥试输出电路,输出MOS是交替导通.当左边为低电平,右为高电平时,15V电压经DD1给C1充电.当左边为高电平,右边为低电平时,15V电压经D7给C7充电.左边为高电压(300V)时,QD1控制极电压为300+UC1,电压高于300V,QD1 MOS导通.二极管D1,D7(接在MOS控制极上的)不会导通,应该是12V稳压二极管,起保护用.电阻R1,R7是两只三极管的负载电阻.MOS的体内二极管导通与负载的性质有关.以后铁图要把元件的序号标好,不要重复.不然叙述太麻烦.
    该电路没有任何问题,只是不完整
    该电路没有任何问题,只是不完整.
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  • shdoqi

    LV.1

    2003-09-29 22:09

    @whualei

    明白一些了
    MOSFET从断到通,源极电位大幅度变化,而栅源之间电压并没有受到特别大的影响.其原因就是驱动电路能够在D1和C1的作用下自动提高栅极电压使栅源电压得以维持.这种现象常被称为“自举”.
    是否直流15V电压加电容耦合过来的电压之和驱动栅极
    但15V电压低于耦合电压,d1还能导通马 ????
    如果楼主同意,我来解释
    楼主贴图不全,是否考虑保密之类呢,这个电路其实很简单,但非常精彩,如果楼主允许我可以详细解释并把图补全.
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  • shdoqi

    LV.1

    2003-09-29 22:29

    @我爱电源

    确实如此
    确实如此.该电路在小功率逆变器中常用,只是该图的dd1及三极管的耐压要较高.对220V交流电,应大于500V.
    耐压不用500V,
    因为这是直流到交流,DD1和三极管的耐压只要哨高于220V+15V即可.理论上是220V+15V+0.7V,不会有什么大的反压冲击,并且二极观管和三极管上不会有什么大电流,所以对他们最大的参数要求是耐压.但耐压只要达到二个直流电压只和足够,大家放心去用吧,因为如真有什么反压之类,能破坏的话,会先把全桥烧坏的,顺便提一句,本论题里面有提到续流问题,那是指在有感性负载的情况下出现的问题.对容性载更危险,管子要承受瞬态大电流.感性和纯阻性负载比较好.
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