第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)器件的一项重要指标就是导通与关断的时间很短，显著的优势是开关损耗很小，可以显著提升电源的效率。　　从电信号角度来说，开关导通与关断的时间短就是信号的频

作为功率半导体厂商，为下游客户提供典型应用方案似乎成行业内约定俗成的事。也就是说，作为半导体原厂不仅要设计好芯片，还要亲自设计和验证很多应用方案供下游客户参考或者直接采用，以便让自己的芯片能快速通过下

测试背景地点：国外某知名品牌半导体企业，深圳氮化镓实验室测试对象：氮化镓半桥快充测试原因：因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管，需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试测试探头：麦科信OIP系

第三代半导体碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）是近几年新兴的功率半导体，相比于传统的硅（Si）基功率半导体，氮化镓和碳化硅具有更大的禁带宽度，更高的临界场强，使得基于这两种材料制作的功率半导体具有耐压