引 言

以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带（第三代）半导体凭借优异的物理特性，天然适合制作高压、高频、高功率的半导体器件。可以说，宽禁带半导体能实现硅材料难以实现的功能，也能在部分与硅材料交叉的领域达到更高的性能和更低的系统性成本，被视为后摩尔时代材料创新的关键角色。本期专题我们围绕宽禁带半导体的独特魅力与未来展望进行讨论，大家一起探讨话题。

一种具有短路限制的GaN及驱动、保护的实现
GaN器件的商用为电力变换器技术具有重要的意义，目前650V GaN器件已广泛使用在电源适配、充电器、通信电源等领域，由于具备低导通电阻和高开关频率，能有效地提高电源的功率密度和效率、减小其体积。
驱动SiC MOSFET有多容易？
平时我们使用充电器，一般都是关注充电器的品牌，是小米还是华为，不会去在意它里面是使用的什么材料，为什么小米这款65W的充电器要单独说明是GaN呢？
基于GaN FET的12V1200W LLC电源设计指南
在一般的规格书电气特性中，我们可以看到会标识功率模块的漏电流参数值，以MSCSM120AM16CT1AG这个1200V 12.5mohm典型阻抗的功率半桥模块来说，其漏电流为如图1所示
功率器件热设计基础（十）——功率半导体器件的结构函数
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性
碳化硅（SiC）
    氮化镓（GaN）
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