SiC MOSFET芯片并联的关键技术

由于SiC MOSFET芯片本身尺寸限制,以及对更高功率等级的追求,SiC 通常采用多芯片并联来提高器件的输出电流能力。由于开关速度很快,并联的两个MOSFET芯片间容易产生开关瞬态振荡,从而可能导致电磁干扰以及电流分配不均问题。并联背后的物理原因及解决方案,请点击以下视频。

 

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