今天群友在群里提了一下这个双管恒流电路，仿真一下并分享给各位同好。之所以叫他过流恒流，是因为他的负载电流I不超过Vbe/R1的时候，负载电流是I；当负载电流继续变大，电流I有要大于Vbe/R1的时候，Q2会对Q1进行调整，让负载电流维持在Vbe/R1。比如下图，设置的过流恒流值为Vbe/0.2，大概350mA左右的样子。
那么我们就动态改变负载电阻RL，看一下流过负载电阻的电流变化情况。首先，在multisim中选择参数扫描。
然后选择需要扫描的器件，在分析参数一栏中，器件名称选择RL，然后RL的范围选择0~30Ω，点数随便输入，越多越精细；待扫描的分析选择直流工作点。然后输出一栏中选择需要观测的变量，选择I(RL)。
点击仿真，出现仿真结果，横坐标为电阻RL的扫描范围，纵坐标为流过负载电阻的电流值。根据仿真，我们可以看到在负载电阻很小的时候（负载电流很大的时候），电流为恒流值，大概为Vbe/R1，此时MOS管Q1和三极管Q2都处于线性区，由于流过MOS的电流很大，所以需要格外注意MOS管的功耗；当负载电阻变大到一定程度后，R1上的压降小于三极管Q2的Vbe，三极管Q2不工作，MOS管正常导通。
恒流状态：
非恒流状态：
