最高工艺：22nm
目前MCU芯片的主流工艺是110/65/55/40，当前国内车规MCU产品多是110/55/40；国产芯片公司芯驰科技以台积电22nm工艺，最为领先；
然而，目前22nm目前还没有成熟的车规嵌入式Flash工艺，因此芯驰采用的是Logic工艺，需要XIP外部Flash
针对XIP Flash和eFlash在带宽，功耗，功能安全，可靠性方面的区别，可回头分享一篇文章；
22nm制程高，因此可以带来的计算能力会强，如芯驰E3600的主频可以到600MHz；
目前嵌入式车规工艺最具性价比的应该还是40nm的，也是国内多家车规MCU芯片公司的共同选择；
最高功能安全级别：ASIL-D
ISO26262是汽车行业公认的安全标准，其中针对安全级别做了ASIL-A/B/C/D的划分，ASIL-D是最高要求；
目前包括芯驰，旗芯微，云途都发布了多核ASIL-D的芯片；
此外，朋友介绍苏州国芯的CCFC2007PT也可满足ASIL-D要求（没有看到相关安全认证，规格书中也没有看到官方说明及相关安全特性的介绍）
最高工作温度&电压：18V/150°C
通用的MCU供电电压一般是3.3V或者5V，然而基于BCD工艺的带LIN收发器的一般支持高压供电；纳芯微NUSC1610采用了高温高压工艺，可以支持12V直接供电，最高工作温度支持150°C
最多内核：10
锁步核，是汽车MCU芯片功能安全的一个标准设计，ASIL-D级别的芯片是必带双核； 在国产车规MCU中，紫光芯能的THA6510，内置5对锁步核（每对锁步核，由2个功能内核+1个检查内核组成），计算能力超4000DMIPS
我们将聚焦在国产MCU领域，目前已经汇总的芯片有：
