现象：
在产品测试过程中，发现在LIN唤醒过程中出现偶发无法休眠情况，导致产品休眠唤醒异常。原因分析：
根据异常情况下的测试数据，RXD为低电平，正常情况应该进入休眠，RXD为floating,根据状态表确认异常情况样机进入待机模式（standby mode)。
小结：休眠异常为LIN进入待机模式
为什么会异常进入待机状态？
LIN进入待机状态跳转图
测试发现正常掉电SLP-N与MCU-VCC低电平的延时时间为123ms; 异常情况下SLP_N刚下拉20ms,LIN端口有信号进入，导致芯片进入待机模式，INH拉高，此时MCU-VCC电压还没有下降，MCU不会进入初始化，SLP-N信号一直为低电平，RXD在待机模式下为低电平，由于软件未对该信号进行处理，所以LIN一直处于待机状态无法跳转，表现样机无法进入休眠状态。
处理措施：在芯片进入待机模式后，MCU读取RXD低电平时间超过200ms,c初始化MCU或者将SLP-N拉高，经过测试，修改后不再出现无法休眠情况。