MOSFET 常用驱动电路

作者：开关电源分析

我们知道我们的电源从结构来划分的话，可以分为隔离型和非隔离型，那我们今天也将MOS所在的原理图分为隔离和非隔离两类来说明。

下图为不隔离的驱动电路，电路常用小功率驱动电路，简单可靠，成本低。

其中 R 为驱动限流电阻，一般为数 Ω 到十几 Ω 左右，此电阻一般用作抑制呈现 高阻抗特性的驱动回路可能产生的寄生振荡，我们在电路布线中，都会要求驱动源与其要驱动的栅极尽量靠近，这样做的目的就是以尽量减少走线引进的电感与驱动回路各部分参数共同造成的谐振。稳压管可用于稳定栅源电压及提供关断时的泄放回路。有的设计师仅用一个大阻值电阻来替代稳压管提供关断泄放回路。 由于MOSFET为电压型驱动器件，当其关断时，漏源两端的电压的上升会通过结电容在栅源两端产生干扰电压，上图电路不能提供负电压，固其抗干扰性较差，如果有条件的话可以将其中的地换成 -Vcc ，以提高抗干扰性及提高关断速度。

下图为隔离驱动电路中：

图中N3 为去磁绕组， S1 为要驱动的功率管。R2 为防止功率管栅源电压振荡的 一个阻尼电阻。R1 为正激变换器的假负载，用于消除关断期间输出电压发生振荡而误导通，并作为 MOSFET 关断时的能量泄放回路。

该电路虽然简单，只需单电源即可启动，但由于变压器副边需要一个较大的防振荡电阻，所以会导致该电路消耗较大；如果脉宽较窄时，由于储存的能量减少导致 MOSFET 关断速度变慢的缺点……【继续阅读】

放大器的稳定性问题

作者：硬件工程师炼成之路

上次有个兄弟问了下我单位增益稳定运放的的问题。详细情况如下：

上面描述问题的这一段全是文字，我就copy放到下面了：“看过你很多环路稳定性的东西，想问下你个问题。单位增益的运放，用作反相衰减器，是否工作正常呢？因为看过两个材料，说的正好相反。

《运算放大器权威指南》里面提到，单位增益稳定运放，即使反相配置，也不能让RG>Rf，会不稳定。另一份资料是TI的文档，是说单位增益的运放，反相衰减器是没有问题的——我觉得这个是对的。因为决定稳定性的只是环路增益AOL*β。同相反相放大，它的β都是一样的，即Rg/（Rg+Rf）。对数之后，则为log10（aol）-log10（1/β）。1/β=（Rg+Rf）/Rg，即使Rg<Rf，那么β也不会大于1，1/β是大于1的。单位增益稳定，那么增益大于1的时候，也是稳定的啊。因此，我觉得单位增益稳定的运放，可以用作反相衰减器。我选了单位增益的运放开环仿真，也是可以的。

但是想问问你在别的资料，是否看过这个问题”TI的解释：

《运算放大器权威指南》的说法：

关于上面的问题，当时我还真不太熟，于是最近又专门查了查，看了看……【继续阅读】

500W级联式AC-DC模拟电源方案（PFC+LLC）

作者：电源技能成长记

LLC谐振变换器具有软开关、易于磁集成、高密度、低EMI和高效率等优势，已在工业界得到了广泛的应用。这里分享一个常用的PFC+LLC级联式电源方案，原理框图如图1所示。

市电（185～240V）输入，由EMI滤波器进行滤波，再经过整流桥整流为直流电，通过对输入电压和开关管电流采样，实现电流与电流同相位调制，提高输入侧功率因数。Boost PFC电路将输入的交流电经整流和升压变为400V直流电。半桥LLC谐振电路功率级包括：开关网络、谐振腔、变压器和全波整流四部分。

开关网络将直流电转换为占空比为0.5的方波电压，谐振腔滤除电流的高次谐波，谐振电流为正弦波。方波电压经高频变压器变换为低压方波信号，由全波整流电路整流为直流电源，最后，接至直流电子负载。

电源采用电压单闭环控制，电压采样电路对输出电压采样，由PI调节器连接到控制器反馈引脚。电流采样电路对谐振腔电流采样，电流信号接至控制器过流保护引脚。PI输出信号由UCC25600电源控制器中的压控振荡器（Voltage-Controlled Oscillator, VCO）转换为频率信号用于开关管驱动，驱动采用变压器隔离，连接到开关管门极。LLC变换器是通过改变工作频率的方式，调节谐振腔阻抗，实现电压稳定输出。

图1 级联式AC-DC电源架构（PFC+LLC）

前级Boost PFC硬件参考电路如图2所示。

(a) PFC功率级电路

(b) NCP1654控制电路

LLC谐振变换器参考电路……【继续阅读】

运放之偏置电流Ib与失调电流Ios

作者：硬件工程师炼成之路

今天来说一说运放的偏置电流和失调电流，我们还是带着问题看，先想想下面几个问题：

1、为什么不同运放的偏置电流差这么多？原因是什么？

2、运放输入端偏置电流方向是什么样的呢？是可以流进，也可以流出的吗？

3、实际应用中偏置电流是如何引起误差的呢？

4、实际应用中失调电流是如何引起误差的呢？

5、电路设计时应该如何考虑偏置电流和失调电流的影响呢？

要想回答上面这些问题，我们首先需要了解偏置电流和失调电流到底是怎么产生的。

偏置电流、失调电流是什么？

我们前面说过，理想运放的同相端和反相端的输入电流为0，所以才有“虚断”的说法，但是实际运放的输入管脚都会流入或流出少量的电流，并且经常同相端的电流和反相端的电流还不相等。

我们如果将流入同相端的电流用Ib+表示，流入反相端的电流用Ib-表示，那么放大器的输入偏置电流Ib就是Ib+和Ib-的平均值，即Ib=(Ib+ + Ib-)/2。

可以看到，偏置电流就是同相和反相端电流的平均值，而失调电流，衡量的是2相电流之间的差异。

我们还是以前几期的LM2904举例子，如下图：

 图中标注IB就是LM2904的输入偏置电流，典型值为-20nA，Ios为输入失调电流，典型值为2nA。失调电流是偏置电流的十分之一，说明这个放大器同相端和反相端的电流还是比较接近的。

那么偏置电流是如何产生的呢？

偏置电流的来源

显然，偏置电流取决于流入或流出放大器同相端和反相端电流的大小，这自然和放大器输入级的构造晶体管类型有莫大的关系。

我们知道，晶体管有好几种，比如双极性晶体管BJT，结型场效应晶体管（JFET）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。然后它们又分什么NPN，PNP，N沟通，P沟道，这样算起来种类还是不少的。

就输入阻抗而言，一般是MOSFET>JFET>BJT的，我是怎么记住这个的呢？我没有刻意去记住，而是理解的方式，脑子里面回想下这几个管子的结构也就出来了，这里也分享一下。

大体是这样的：

BJT三极管我们应该都比较熟，其是电流驱动的，其放大的时候，要给它合适偏置，b和e之间是有正向电压的，是一个有正向压降的PN结，处于放大区的时候里面是有电流流动的……【继续阅读】