我们知道我们的电源从结构来划分的话，可以分为隔离型和非隔离型，那我们今天也将MOS所在的原理图分为隔离和非隔离两类来说明。
下图为不隔离的驱动电路，电路常用小功率驱动电路，简单可靠，成本低。
其中 R 为驱动限流电阻，一般为数 Ω 到十几 Ω 左右，此电阻一般用作抑制呈现 高阻抗特性的驱动回路可能产生的寄生振荡，我们在电路布线中，都会要求驱动源与其要驱动的栅极尽量靠近，这样做的目的就是以尽量减少走线引进的电感与驱动回路各部分参数共同造成的谐振。稳压管可用于稳定栅源电压及提供关断时的泄放回路。有的设计师仅用一个大阻值电阻来替代稳压管提供关断泄放回路。 由于MOSFET为电压型驱动器件，当其关断时，漏源两端的电压的上升会通过结电容在栅源两端产生干扰电压，上图电路不能提供负电压，固其抗干扰性较差，如果有条件的话可以将其中的地换成 -Vcc ，以提高抗干扰性及提高关断速度。
下图为隔离驱动电路中：
图中N3 为去磁绕组， S1 为要驱动的功率管。R2 为防止功率管栅源电压振荡的 一个阻尼电阻。R1 为正激变换器的假负载，用于消除关断期间输出电压发生振荡而误导通，并作为 MOSFET 关断时的能量泄放回路。
该电路虽然简单，只需单电源即可启动，但由于变压器副边需要一个较大的防振荡电阻，所以会导致该电路消耗较大；如果脉宽较窄时，由于储存的能量减少导致 MOSFET 关断速度变慢的缺点。
下图为互补驱动，
V1 、V2 互补工作，电容 C 起隔离直流的作用 .
电路具有电气隔离作用； 该电路只需一个电源，隔直电容 C 的作用在关断时提供一个负压，从而加速了 功率管的关断，有较高的抗干扰能力。
我们要注意当占空比D 较小时，负电压较小，正向电压高，应不要超过栅源允许电压； 当占空比D 增大时，正向电压降低，负电压升高，应使其负电压不要超过栅源允许电压。