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大家好,我是硬件微讲堂。这是我的第47篇原创文章。为避免错过干货内容,一定记得点赞、收藏、分享哟。加微信hardware_lecture进群沟通交流。

谈到MOS管的米勒效应,肯定绕不开栅-漏极电容Cgd的影响。这里面涉及一个重要计算,今天和大家一起讨论下。

1、一道问题

照例,先抛出一个问题:在MOS管的等效电路中,栅-漏电容Cgd等效到输入回路中的容值是多少?推导过程是怎样的?

这道题的难点在于推导过程,这需要同学们理解,而不是死记硬背。

2、等效电路

为便于理解,我们以带有栅极偏置的共源极放大电路作为分析对象。如下图所示,首先画图其直流通路,比较简单,这里我们不做过多分析。

接着,我们画出其交流通路。注意,这里我们使用的不是MOS管的低频小信号模型,而是高频小信号模型。

因为在低频模式下,我们是通常是忽略结电容的影响。高频模式下,交流通路如下图所示。

可能会有同学问了,这里和三极管的交直流通路很像。对的,确实相似,因为两者存在很多相通性。所以在学校里,很多老师只讲三极管放大电路,MOS管放大电路是自学部分。三极管部分,不清楚的同学可以回看《终于有人把共射放大电路不放大原因说清楚了!》,不做赘述。

3、以电流为切入点

细心的同学会发现在上图中标注了Ig,Ig1和Ig2,其中Ig1是流过Cgs电容的电流,Ig2为流过Cgd电容的电流,而Ig是Ig1和Ig2的干路总电流,Ig=Ig1+Ig2。

在上图中,Ig1=jw*Cgs*Vgs,Ig2=jw*Cgd*Vgd。相信这点,同学们很容易理解。

当前的关键点在于Vgd是多少?

根据基尔霍夫电压KVL定律,有如下关系推导:

令RL'=Rd//RL,则有:

如此,

而,

对比Ig2和Ig1的关系式,可以引入电容Ceq,有:

Ceq在输入回路中的电流,有:

于是,Ceq可以看做是Cgd在输入回路上的等效电容,此时的容值已经放大了(1+gmRL')倍

当年的小喽喽(Cgd),在输入回路中,摇身一变已经成为别人口中的大哥,举足轻重,不容忽视了!

4、总  结

今天聊的内容,相对简单,只聊了米勒效应的一部分内容,重点说明了栅-漏电容Cgd等效到输入回路的定量关系及其推导过程

最后附上整个的推导过程,详见下图。

怎么样?一个简短的问题,给出的回答可浅可深。我的助攻只能到这里,能否晋升到陆地神仙境一剑开天门,就看你的造化了!

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