EMI(电磁干扰)对策

作者：广元兄

作者说：

EMC的相关知识在之前的文章有写过：电磁兼容（EMC）基础知识-电源网 (dianyuan.com)

产生EMI（电磁干扰）应采用的相应对策：传导干扰可采取滤波方式，辐射干扰可采用屏蔽和接地等措施，这些方式可以大大提高产品的抵抗电磁干扰的能力，也可以有效地降低对外界的电磁干扰。经常听说解决EMI三大解决方法：接地、滤波、屏蔽。

接地

产品的电路和设备外壳需要与一个公共参考点（一般为大地）相连。接地又可以细分为接安全地和接工作地。

接安全地：产品设备的机壳、机座等，要与大地相接，设备即使存在漏电，也不影响人身安全。

接工作地：信号的参考地平面，产品I/O端口接地等方式，就是接工作地，抑制信号干扰。

针对产品的设计，接地有下面四种情况：

①单点接地与多点接地

信号：工作频率大于10MHz，建议采用多点接地，尽量降低地阻抗。如果采用单点接地，注意信号地长度≤1/20λ。

有的资料提出电子设备是否选择单点接地，主要取决于系统的工作信号频率和接地线的长度，即其表征量L/λ。L/λ<=0.1时，选择单点接地，单点接地的应用范围一般在300kHz以下，在有些场合也可用在1MHz以下。

线缆：线缆屏蔽层的长度以0.15λ为基准，尽量采用多点接地。一般屏蔽层按0.05λ或0.1λ间隔接地。混合接地时，一端屏蔽层接地，一端通过电容接地。

射频：接地线尽量短，当地线长度是λ/4波长的奇数倍时，阻抗会很高，同时相当λ/4天线，向外辐射干扰信号。

②数字模块与模拟模块区分开，数字地与模拟地分开处理

③加粗接地线≥2mm，减小电流变化引起的噪声

④接口的接地线闭环，缩小电位差值，提高抗噪声能力……【继续阅读】

2022全年电源网VIP会员技术专刊精选，送你！

作者：星球官方号

作者说：

随着彻底放开，新冠病毒对大多数人的影响也变得越来越小了。希望耳边响亮的鞭炮声可以彻底驱散疫情的阴霾，新的一年，一定会越来越好。

电源网在此感谢每一位支持我们的工程师朋友！也想趁此机会，汇报一下我们2022年的成绩。

2022年，电源网共策划了12期技术月刊（这个可是大有来头，下面我会好好唠唠），12个主题技术专题，10场线下全国巡回研讨会，6个主题直播节，87场线上直播，40次主题活动，2092篇行业新闻，5063篇星球号原创内容，10121个论坛帖子……

这个金兔年，我们将继续努力“搬砖”，为广大工程师提供更多更好的原创技术文章、新鲜行业资讯、实用精华帖子、优质大咖直播、精彩线下研讨会……，敬请期待哈~

在这个可喜可贺的日子里，怎么能少得了送福利的仪式感呢！电源网必须来送上一波福利~

足够了解电源网的电粉都知道，电源网VIP会员每个月都会收到我们送出的技术月刊。

给新电粉普及下《电源网VIP会员技术专刊》~

《电源网VIP会员技术专刊》是电源网针对VIP会员推出的专业性杂志，由电源网发行，是一本汇集平台精选内容的技术月刊。该月刊把握当下的电源电子设计热点，以媒体的视角为读者提供一流的资讯与实用技术分享，广受电源网网友欢迎。未来，专刊将致力于报道全球最新的技术理念和行业资讯，并且为众多的国内外客户提供全面的服务。杂志包括全球前沿速递、实用技术干货分享、特别策划、电粉福利、品牌推介等栏目；介绍优秀的技术设计等方面的内容；刊物内容还包括介绍国内外技术大师和公司；各大行业展览会和重大行业交流活动资讯。

2022年电源网月刊的主题有：《嵌入式技术》、《移动通信》、《电路设计》、《宽禁带半导体》、《PCB设计》、《储能与新能源》、《消费电子》、《工业控制》、《智能汽车电子》、《电路仿真工具》、《电机驱动与控制》、《年末回顾与展望》。

而且电源网不仅只有技术月刊哟，同期还推出了12期技术专题！

2022年电源网技术专题：如何系统地学习嵌入式？、通信知识看点以及发展趋势、送给新手的电路设计指南、碳化硅和氮化镓材料谁更厉害？、PCB设计指南与经验分享、“新能源＋储能”如何破局？、消费电子的未来，路在何方？、工业4.0时代、汽车电子，电子行业耀眼的新星、盘点工程师必会的电路仿真软件、电机驱动与控制、电源网2022年年度盘点。

……【继续阅读】

大电流mosfet的门极驱动峰值电流的计算方法

作者：电源漫谈

作者说：

大电流mosfet的使用广泛，它们的导通电阻低，电流能力较大，适合在各种开关电源中应用，在具体的器件驱动电路设计中，需要注意其门极电容较大，适合的门极驱动器需要有足够的电流，去将门极电容充电，从而使电压达到Vth，进而在系统允许的时间内去完全导通。

在门极驱动电路设计中，需要注意一些典型的错误，例如，不能混淆门即输入电容CISS和门极等效电容CEI之间的差异,不能简单的通过CISS和电容的基本公式来计算门极驱动电流，如图1所示。

图1 电容充电基本公式

一般来说，mosfet实际的门极等效电容CEI会比CISS大一些，这个数值需要从mosfet厂家给出的门极总电荷QG中得到，它也和mosfet门极驱动电压有关。

图2 门级总电荷的分解

这里我们先解释一下QG的概念，进而说明一下QGS,QGD,QOD的实际意义。

图3 mosfet的门级电荷特性

图3是典型的mosfet的门极电荷变化特性，其中在曲线上我们可以看到，mosfet从完全不导通到充电到米勒平台，这阶段需要的门极电荷是QGS,经过米勒平台需要的门极电荷是QGD,米勒电容到最终完全导通需要的门级电荷是QOD,这三部分门级电荷之和就是门极总电荷QG,我们会从mosfet厂家规格书中得到这些数据……【继续阅读】

#征文#谈谈对MOS管米勒平台电压的理解

作者：EMC小白

作者说：

新的一年，祝大伙事业蒸蒸日上，前兔似锦年华。

网上关于MOS管米勒平台的解释很多，今天谈谈自己对此平台的理解，以期给大家不一样的解释感受，若有不足支持，欢迎指出，谢谢。

对于MOSFET管，米勒效应（Miller Effect）指其输入输出之间的分布电容（栅漏电容）在反相放大作用下，使得等效输入电容值放大的效应。由于米勒效应，MOSFET栅极驱动过程中，会形成平台电压，引起开关时间变长，开关损耗增加，给MOS管的正常工作带来非常不利的影响。话不多说，直接上图：

米勒平台指的是在t2到t3这段时间内，Vds的电压持续下降，但是未达到t3时刻的可变电阻区，id达到最大值，而Vgs此时基本维持不变，我们知道要让MOS管达到可变电阻区的条件是，Vgs-Vth>Vds，只有当Vgs足够大，Vds足够小，从图中可以看出在t3后期阶段，更容易达到可变电阻区。我们回到米勒平台电压的问题，在该阶段，明明给栅极电压充电了，但为什么会出Vgs电压值基本不变呢（以NMOS管为例），我们观察下MOS管的寄生参数模型……【继续阅读】

点击下载电子星球APP，学习更便捷

关于电子星球APP如有疑问，扫码添加客服