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Micsig光隔离探头实测案例——氮化镓GaN半桥上管测试

测试背景

地点:国外某知名品牌半导体企业,深圳氮化镓实验室

测试对象:氮化镓半桥快充

测试原因:因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管,需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试

测试探头:麦科信OIP系列光隔离探头

现场条件

因该氮化镓快充PCBA设计密度很高,阻容采用0402器件,只能采用不是最优方案的同轴延长线连接(通常推荐采用MCX母座连接,可最大限度减少引线误差)。

现场连接图如下:

▲图1:接线

现场测试步骤

1.将探头连接10X衰减器,并将衰减器插入同轴延长线;

2.将OIP探头连接示波器第4通道并开机;

3.将示波器对应通道衰减比设置10X,将输入电阻设置为50Ω;

4.给目标板上电;

▲图2:测试场景1

▲图3:测试场景2

测试结果

1.Vgs控制电压5.1V左右,信号光滑无任何畸变;

2.上管关断瞬间负冲0.5V左右,在氮化镓器件安全范围;

3.下管关断瞬间引起的负冲在2.2V左右,在氮化镓器件安全范围;

4.Vgs信号上升时间240ns左右。

(以上数据通过截屏读数)

▲图4:测试结果截屏

结论

1.目标板设计合理,Vgs控制信号近乎完美;

2.测试显示Vgs信号无任何震荡,共模干扰被完全抑制;

3.OIP系列光隔离探头测试氮化镓半桥上管Vgs,没有引起炸管。

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