工程师们在MOS管选型时，首先要看的就是MOS管手册，拿到手册时，我们怎样去理解那几页到十几页的内容呢？
其实并不是每个参数都要特别关心，我们只需重点关注几个重要参数，下面分享一下我对MOS管手册的一些理解。
以IRFP460为例来进行说明：
打开规格书，首先看到的就是MOS管的引脚示意图、封装形式和三个重要参数。一般看到这个，心里对这个管子有初步的了解，知道适合在哪个功率等级使用。
VDSS，ID和RDS(on)，是特别重要的参数，也是必须了解的参数。下面的表格会详细说明其中的意义。
1.VDSS漏极电压
这第一个电气参数，即DS击穿电压，也就是我们关心的MOS管耐压，最高不能超过500V，测试条件为25℃。
往下翻有个VDSS随温度变化的曲线，如图：
可看出VDSS是正温度系数，只有在温度为25℃时，管子电压为500V是安全的。要是在寒冷的场合，比如-50℃，耐压低于500V，所以一般在电路设计时会保留至少10%的余量来保证正常工作。
2.Vgs栅源驱动电压
设定该值得目的是防止输入电压过高，导致MOS管损坏。电压一般设置为12-15V。
3.ID连续漏极电流
MOS管表面温度在25℃或更高温度下，可允许的最大连续直流电流。从测试条件可以看出，在同样条件下MOS管的温度越高，ID越小。原因是内阻随着温度的增高而增大，根据I=U/R可知，内阻跟电流成反比，内阻越大，通过的电流越小，带载能力越弱。
4. IDM峰值漏电流
该参数反应了MOS管能通过的最大脉冲电流，它远大于连续通过的电流。如果长时间工作在此电流下，管子将会失效。因此，在实际工作中，需将电流设置在ID范围内。
5. RDS(on)导通内阻
内阻是个比较重要的参数，内阻越小，带载能力越强。温度对内阻的影响比较大，如图：
随着温度的升高，内阻增大，内阻越大，管子本身消耗的能量越大，管子发热就越严重，情况会越来越糟，所以一定要控制MOS管的温度，一般不超过105℃。
6.Vgs（TO）阈值电压
7.Qg，Qgs，Qgd栅电荷
Qg栅电容的充电电荷。这个值跟驱动电路有很大关系。驱动电流的大小通常会参考Qg的值，然后估算出驱动电流值。
8.td（on）导通延时时间、tr上升时间、td（off）关断延时时间、tf下降时间、td（off）关断延时时间，示意图如下：
在计算半桥电路死区时间时，常参考这几个参数值。
9.Ciss，Coss，Crss寄生电容
Ciss是输入电容，当输入电容充电至阈值电压时，MOS管才能开启，放电到一定程度才会关闭。Ciss对MOS管的开启和关断延时有直接影响。
Coss是输出电容，对于软开关来说这一参数非常重要，因为它可能引起电路的谐振。
Crss，也就是Cgd，叫反向传输电容，也叫米勒电容。它影响着开关上升和下降时间。
寄生电容当然越小越好。
10.体二极管
VSD是二极管的正向导通压降为1.5V，这个参数不是重点。重点的是二极管的反向恢复时间trr，这个时间越小越好，时间过长，损耗越大。