MOS管手册解读

工程师们在MOS管选型时,首先要看的就是MOS管手册,拿到手册时,我们怎样去理解那几页到十几页的内容呢?
其实并不是每个参数都要特别关心,我们只需重点关注几个重要参数,下面分享一下我对MOS管手册的一些理解。
以IRFP460为例来进行说明:
 
打开规格书,首先看到的就是MOS管的引脚示意图、封装形式和三个重要参数。一般看到这个,心里对这个管子有初步的了解,知道适合在哪个功率等级使用。

VDSS,ID和RDS(on),是特别重要的参数,也是必须了解的参数。下面的表格会详细说明其中的意义。

1.VDSS漏极电压
这第一个电气参数,即DS击穿电压,也就是我们关心的MOS管耐压,最高不能超过500V,测试条件为25℃。
往下翻有个VDSS随温度变化的曲线,如图:

可看出VDSS是正温度系数,只有在温度为25℃时,管子电压为500V是安全的。要是在寒冷的场合,比如-50℃,耐压低于500V,所以一般在电路设计时会保留至少10%的余量来保证正常工作。
 
2.Vgs栅源驱动电压
设定该值得目的是防止输入电压过高,导致MOS管损坏。电压一般设置为12-15V。
 
3.ID连续漏极电流

MOS管表面温度在25℃或更高温度下,可允许的最大连续直流电流。从测试条件可以看出,在同样条件下MOS管的温度越高,ID越小。原因是内阻随着温度的增高而增大,根据I=U/R可知,内阻跟电流成反比,内阻越大,通过的电流越小,带载能力越弱。
 
4. IDM峰值漏电流
该参数反应了MOS管能通过的最大脉冲电流,它远大于连续通过的电流。如果长时间工作在此电流下,管子将会失效。因此,在实际工作中,需将电流设置在ID范围内。

5. RDS(on)导通内阻
内阻是个比较重要的参数,内阻越小,带载能力越强。温度对内阻的影响比较大,如图:

随着温度的升高,内阻增大,内阻越大,管子本身消耗的能量越大,管子发热就越严重,情况会越来越糟,所以一定要控制MOS管的温度,一般不超过105℃。
 
6.Vgs(TO)阈值电压

注意Vgs(to)具有负温度系数特性,温度越高,开启电压越低,高温时接近1.5V管子就会开启。有些管子高温时约为零点几伏,这样只要在栅极有一个很小的尖峰就可能导致管子误开通,从而引起系统的不稳定。
7.Qg,Qgs,Qgd栅电荷

Qg栅电容的充电电荷。这个值跟驱动电路有很大关系。驱动电流的大小通常会参考Qg的值,然后估算出驱动电流值。
 
8.td(on)导通延时时间、tr上升时间、td(off)关断延时时间、tf下降时间、td(off)关断延时时间,示意图如下:

在计算半桥电路死区时间时,常参考这几个参数值。
9.Ciss,Coss,Crss寄生电容

Ciss是输入电容,当输入电容充电至阈值电压时,MOS管才能开启,放电到一定程度才会关闭。Ciss对MOS管的开启和关断延时有直接影响。
Coss是输出电容,对于软开关来说这一参数非常重要,因为它可能引起电路的谐振。 
Crss,也就是Cgd,叫反向传输电容,也叫米勒电容。它影响着开关上升和下降时间。
寄生电容当然越小越好。
10.体二极管

VSD是二极管的正向导通压降为1.5V,这个参数不是重点。重点的是二极管的反向恢复时间trr,这个时间越小越好,时间过长,损耗越大。
声明:本内容为作者独立观点,不代表电子星球立场。未经允许不得转载。授权事宜与稿件投诉,请联系:editor@netbroad.com
觉得内容不错的朋友,别忘了一键三连哦!
赞 6
收藏 16
关注 128
成为作者 赚取收益
全部留言
0/200
  • SOA曲线也很重要
    回复
  • Burning520999 10-03 14:18
    漏了二个很重要的曲线,SOA曲线和瞬态热阻曲线
    回复