谈到EMC整改，大家说的较多的是，干扰源，干扰路径，被干扰源三要素，也有很多人谈到EMC整改时，要先区分差模干扰，共模干扰，还有人提到要先判断传导干扰，还是辐射干扰，也有共模阻抗，感性耦合，容性耦合和空间辐射耦合，或者进行RE测试时，先判断是通过线束耦合，还是产品本身辐射等等，不知道大家怎么看待以上的理论分析。
理论分析看得太多，如果没有深入思路彼此之间的联系，有时候自己也会困惑起来，遇到问题，我到底该按照什么思路来进行整改呢，是先判断差模干扰，共模干扰还是先判断以什么耦合方式进行干扰的，正所谓万变不离其宗，独孤九剑，以不变剑招破天下剑招，其实以上这些干扰方式谈论的都是一个要素，即干扰路径。用频谱分析仪或者经验排除法查找出干扰源是什么，再分析出潜在的干扰路径，对应辐射类问题，剩下的就是根据根据分析出的干扰路径逐一debug；而对于抗干扰类问题，干扰源是确认的，再以差模，共模，公共阻抗耦合，容性耦合和感性耦合分析出潜在的干扰路径是什么，最后再结合产品原理分析以及排除法确认被干扰源，即可开展剩下的解决工作。
本文以一篇BCI实例，结合以上理论进行分析。
实验产品：
一款用于汽车无钥匙进入/启动的NFC产品。
实验布置图：
实验标准：
实验要求都是等级A，即产品在实验过程中不允许出现任何的功能偏差。
实验现象：
发现产品在进行DBCI和CBCI时，在27.12MHz,40.68MHz频点附近时出现读卡失效：
其他频点未出现失效。
实验问题分析：
首先，干扰源很明确是27.12MHz,40.68MHz大电流干扰，干扰路径是传导耦合进入产品，再通过传导/辐射方式干扰，通过对产品的功能分析，最终被干扰源可能是NFC的供电电源，跟NFC读卡通信传输的MCU以及NFC芯片本身。
解决EMC问题，绝对是一项精力与金钱赛跑的技术活，面对的可是EMC实验室一小时大几百元的开销。如果从被干扰源出发，我们可能要做很多的排除法进行dbug，可以先从干扰路径出发。
其次，干扰的路径是从线束耦合进入产品的，我们可以将产品分成两大部分，一部分是线束，一部分是产品本身，DBCI是不包括GND线束，CBCI是包括GND线束的，因为两者实验现象一致，为简单起见，我们先从DBCI开始分析，测试线束接口包括：
其中DBCI时，只测试了POWER线束，LIN线束，我们将POWER线束和LIN线束分开测试，发现给POWER线束注入大电流时，没有出现读卡失败，当给LIN线束注入大电流时，出现读卡失败了。分析LIN线束接口部分的电路：
对于该部分电路，我们可以通过开头提到的各种理论分析，干扰途径包括，干扰通过LIN线束进入GND形成公共阻抗共模干扰耦合（例如通过TVS管进入GND），干扰通过LIN线束攻击其他线束，例如电源，形成差模干扰耦合（例如通过TVS管进入POWER），干扰通过LIN线束形成容性，感性耦合干扰到其他元器件（这部分的耦合应该可分为，电压驱动型和磁耦合型干扰，电压驱动下即因为形成高电压，对外形成耦合，磁耦合型即干扰形成回路后，再通过传导辐射耦合干扰到其他元器件），干扰通过天线形成空间对外辐射（排查了layout，没有发现可形成直接对外辐射的天线）。
分析发现，通过LIN线束攻击电源：
有可能通过VCC_5V_LIN耦合到VCC_5V，我们尝试替换在20MHz,40MHz高阻抗的电感，发现对测试结果没有任何改善。
此时，我们发现LIN接口的TVS管的GND为PGND1，当BCI干扰引入时，干扰信号最终会流入电源输入端的PGND1，而TVS管到电源输入端的PGND1阻抗相对GND平面要大得多，流入的干扰信号会引起地弹，导致图示A点电位变高，该点的高电位信号会通过传导，耦合，辐射等多条路径干扰PCB板其他元器件工作（包括NFC芯片工作），进而引起BCI测试失效。而将ESD管地改为GND后，GND平面阻抗很小，不会引起某点电位升高，干扰到其他元器件工作，BCI测试通过。
总结：对于别人说的理论，我们要多多结合实例案例在应用中不断磨合深化，提炼出属于自己的理论，就像孔子所说，学的很多，但是不思考，则会迷惑，往往陷入其中，不知道具体该怎么做。
