源知
认证:优质创作者
所在专题目录 查看专题
半导体材料特性参数对器件特性的影响
功率半导体器件概述
被动半导体器件和主动半导体器件(一)
被动半导体器件和主动半导体器件存在形式的现状
导电调制效应及其对器件特性的影响
氮化镓及其器件的概述
作者动态 更多
电力电子装置及分类介绍
3星期前
常用氮化镓器件的结构
09-03 16:44
氮化镓及其器件的概述
08-28 12:50
导电调制效应及其对器件特性的影响
06-12 15:01
被动半导体器件和主动半导体器件存在形式的现状
06-05 21:09

导电调制效应及其对器件特性的影响

其原理是P区的空穴不仅吸引漂移区N-的电子同时吸引衬底或基底N+区的电子,也称为载流子双倍注入,二极管等半导体器件需要的阻断电压越高,则漂移区越宽,由于漂移区的掺杂浓度低,会造成明显的欧姆电阻,这个也是决定器件内阻的主因,会导致器件导通损耗增加等不利因素,而导电调制效应使得漂移区的载流子浓度上升,使得欧姆电阻大大降低。

导通时,使得原来漂移区的电子浓度升高,从而降低欧姆电阻,这种效应发生在具有双载流子参与导电的器件,如二极管、IGBT等,也就是说多子或电子参与导电的肖特基(Schotty)是不存在这种效应的,因此,尤其是高压硅基肖特基二极管,很难制造出性能超越普通PN结的二极管,由于漏电流大的问题,无导电调制效应导致的高导通电压都是限制高压硅肖特基二极管使用的重要因素。

< 双 载 流 子 器 件 中 导 电 调 制 效 应 示 意 图 >

注:对于具有漂移区的二极管,其结构通常如上图是PN-N+结构,这类二极管我们也称之为PIN二极管,I代表内部,也就是夹心的飘移层N-。

声明:本内容为作者独立观点,不代表电子星球立场。未经允许不得转载。授权事宜与稿件投诉,请联系:editor@netbroad.com
觉得内容不错的朋友,别忘了一键三连哦!
赞 5
收藏 4
关注 197
成为作者 赚取收益
全部留言
0/200
成为第一个和作者交流的人吧