一. 热阻抗的定义：
我们今天要谈及的MOSFET的热阻模型其实是指热阻抗Zth，它包含了两部分：热阻和热容，即Zth=Rth+Cth。他们都是MOSFET固有的物理属性。
热阻Rth：是指当有热量在物体上传输时，在物体两端温度差与热源的功率之间的比值。
热容Cth：当一系统由于加给一微小的热量dQ而温度升高dT时，dQ/dT 这个量即是该系统的热容。
如果作用在MOSFET上的是瞬时的脉冲功率，由于热容的效应，元件体现出的热阻抗较小；如果元件承受了>1s的脉冲功率，元件趋近达到热平衡，热容的效果将不复存在，Zth几乎和Rth相等。下面的的瞬时热阻抗图就说明了这一特性：
结点温升：根据热阻抗的定义，要想计算出结点温升，那么就需要作用在MOSFET上的脉冲功率及元件的热阻抗值，然后用下面的公式就可以计算出温升：
二. RC热阻模型的建立
如果电阻抗Z=电阻R+电抗C一样，热阻抗Zth=热阻Rth+热容Cth；同理，电子领域的电流就等同于热领域中的元件功率；电压值也可以等效为温度值。具体的等效对应关系如下表：
根据这样的等效关系，我们就可以将元件的热阻抗Zth以电子的R和C来呈现出来，并通过电路仿真的方法求得元件的温升值。
这种模型的等效也是各大MOSFET供应商认可的较快速的评估方法。所以在元件的网站上也都会给出所对应的的RC热阻模型，我们只需要下载下来，将RC模型进行相对应的赋值即可。如下图所示：
三. 基于LTspice的热仿真实例
下面的实例是一个MOSFET的高边开关驱动电路，其中右侧的C1，C2，C3，C4，R4，R5，R6和R7组成的是元件的热阻模型，其中的电容值和电阻值也都是根据供应商给出的模型进行设定的。将电流源激励B1的值设为作用在元件上的功率值，Vmb1为元件焊接衬底的初始值，当运行LTspice后，电流源B1后的电压值即为元件结合点温度Tj。
综上所示，MOSFET的RC热阻模型为我们元件的设计选型提供较为简单快速的评估方法，将设计的风险降低！