本部分列出有关绕组顺序以及如何采用Power Integrations特有的E-Shield技术的一些实用设计技巧。采用屏蔽绕组，不仅可省去共模扼流圈，而且可降低初级侧和次级侧之间连接的Y级电容的值，甚至无需Y级电容， 从而提高传导EMI性能并简化输入滤波级。
图1 采用E-Shield (WD1)的典型变压器电路原理图
图2 带屏蔽绕组的LYTSwitch-2变压器的典型绕制结构
屏蔽绕组
变压器的第一层是屏蔽绕组(WD1)。从PIXls获得初级绕组圈数NP， 然后除以层数L，得出圈数。将得出的圈数再除以2 (NSHEILD = 0.5 × (NP/L))。这样可得出起始值。请注意，屏蔽绕组的起始点（黑点） 位于从初级绕组起始的骨架的另一侧。屏蔽绕组的末端是浮动的。选择 与骨架宽度完全吻合的线规。
初级绕组
第二个绕组(WD2)是初级侧。绕组圈数NP、层数L 以及线规AWG。可使用1 mm的胶带层，通过降低变压器设计对制造差异的敏感性来改善EMI的可重复性。要将胶带宽度计算在内，请将1 mm的宽度值插入计算方程中。
反馈绕组
反馈绕组是骨架上的第三层绕组(WD3)。圈数NFB。要降低传导EMI干扰，此绕组必须完全覆盖骨架宽度。采用多股并绕绕组可实现上述目的，不过要想获得最佳线规和并绕股数，可能还需进行一些试验。出于可制造性方面的考虑，一般建议并绕股数不超过4股， 因为多股并绕绕组是同时连接在单个骨架引脚上的。
次级绕组
最后一层绕组是次级绕组(WD4)。在骨架一侧开始次级侧绕组，与反馈绕组的起始处在同一侧。选择与骨架绕组窗口宽度完全吻合的线规。建议次级绕组使用三层绝缘线，这样就无需使用胶带挡墙即可符合安全间距要求（通常为6 mm到6.2 mm），还可减小所需的变压器磁芯尺寸。