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精华!离线反激电源变压器设计全面解析--专题简介
通用变压器设计----如何选择合适的磁芯
通用变压器设计----确定原边励磁电感Lm
通用变压器设计----确定匝数和线径
变压器设计基础----绕制顺序
变压器设计基础----绕制方式&最小漏感
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通用变压器设计----确定原边励磁电感Lm

上一篇我们介绍了本系列第一篇如何选择合适的磁芯。接着本文将讨论变压器关键参数之一----励磁电感Lm。

为了确定初级侧电感,应首先确定以下变量。 

- Pin:最大输入功率

- fs : 开关频率

- VDCmin : 最小直流母线电压

- Dmax:最大占空比

- KRF : 纹波系数,定义在最小输入电压和满载条件下,如图 4 所示。对于 DCM 操作,KRF = 1,对于 CCM 操作,KRF < 1。纹波系数与变压器尺寸密切相关以及 MOSFET 电流的 RMS 值。尽管可以通过降低纹波系数来降低 MOSFET 中的传导损耗,但纹波系数太小会迫使变压器尺寸增加。综合考虑效率和磁芯尺寸,通用输入范围设置KRF = 0.3-0.5,欧洲输入范围设置KRF = 0.4-0.8是合理的。同时,在尺寸最关键的低于 5W 的低功率应用的情况下,使用相对较大的纹波系数以最小化变压器尺寸。在这种情况下,通常为通用输入范围设置 KRF = 0.5-0.7,为欧洲输入范围设置 KRF = 1.0。

peak-peak

DCM operation-DCM operation

EDC-EDC

图 4. MOSFET 漏极电流和纹波系数 (KRF)

对于给定的变量,初级侧电感 Lm 为:

其中 VDCmin 是最小直流输入电压,Dmax 是最大占空比,Pin 是最大输入功率,fs 是开关频率,KRF 是纹波因数。

一旦确定了 Lm,就可以得到正常工作中 MOSFET 的最大峰值电流和 RMS 电流为

对于选定的磁芯,变压器初级侧避免磁芯饱和的最小匝数由下式给出

其中 Lm 是初级侧电感,Iover 是逐脉冲电流限制水平,Ae 是磁芯的横截面积,Bsat 是饱和磁通密度(以特斯拉为单位)。

如果逐脉冲电流限制水平大于电源设计的峰值漏极电流,则可能会导致变压器尺寸过大,因为 Iover 用于确定最小初级侧匝数,如公式 (6) 所示 . 因此,需要选择具有适当限流规格的控制IC 或通过增加纹波系数来调整接近 Iover 的峰值漏极电流,如图 5 所示。 将 Ids 峰值设计为 Iover 的 70-80% 是合理的 考虑到 Iover 的瞬态响应和容差。

FPS(Iover)的逐脉冲限流

增加纹波系数 (KRF)

降低初级侧电感 (Lm)

图 5. 调整峰值漏极电流

下一篇我们将介绍确定每路输出的匝数,未完待续~

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  • dy-icXFVvIG 2021-10-28 16:58
    大开眼界,真是好文
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  • appleY 2021-10-24 11:27
    Imos rms 通式应该是 : Irms = [(I1^2 + I2^2 + I1 * I2 ) * D/3 ] ^0.5 , I1 为斜坡电流的起始电流, I2为斜坡电流的终止电流 ,不管是在CRM还是CCM模式下; 另外纹波系数不是用Krp , ripple / peak ,斜坡与峰值的比值?
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