leo.zhao
认证:VIP会员
所在专题目录 查看专题
防雷电路设计之一
防雷电路设计之二
防雷电路设计之三
防雷设计之四
作者动态 更多
细说斩波调光顺滑性的影响因素
2023-06-20 11:08
人体热释电红外传感器 PIR应用注意事项
2021-09-27 09:59
薄膜电容器性能快速检测方法
2021-09-22 09:55
小功率无线充电介绍(二)
2021-06-28 08:43
小功率无线充电介绍(一)
2021-06-21 15:52

防雷设计之四

本章和大家一起来看下残压该计算以及低残压的解决方案是什么。

耐压测试示意图

原副边打耐压3750V时,CY1和CY2的分压应小于GD2的耐压(1500Vac或1850Vac),否则GD2会打火,耐压测试不过;

所以需计算原副边对地Y电容的比例,并考虑误差(不容忽视PCB板(尤其是光源板)对PE的寄生电容);

残压计算:

VGY=(VGDT_max+Vcm*0.1/1.2)*CY201/(CY301+CGY+ CY201)

假设Cgy=0:

VGY=(3000*1.2+6000*0.1/1.2)*2.2/(3.3+0+ 2.2)=1640V

实际Cgy(对地结电容)较大,残压肯定更小。

1,GDT的电压选择:VR1A < GDT1 < (VR2+VR3)(需考虑公差)

2,保证两个共模MOV的串联电压最高,否则若让其先导通流过差模电流,会炸机;

3、第二级采用高精度、反应快的器件(TVS),较低电压,先导通,残压低。但通流量不够;

4、退耦器件阻挡大能量的冲击,保护第二级器件,把前面的电压抬高;同时把电压上升沿放缓,给第二级电路以充分的反应时间,所以第二级也可用尺寸小的MOV;

5、MOV和GDT的串联后导通,吸收大部分的能量,包括退耦电感的储能;

6、退耦电感使用空心电感即可,感量不需多大。

声明:本内容为作者独立观点,不代表电子星球立场。未经允许不得转载。授权事宜与稿件投诉,请联系:editor@netbroad.com
觉得内容不错的朋友,别忘了一键三连哦!
赞 3
收藏 8
关注 146
成为作者 赚取收益
全部留言
0/200
  • DengHuiCun 2021-03-24 23:22
    看了您写的这个很受用,老师您这防雷相关的资料可以分享吗,18809480720@163.com,谢谢
    回复