输入：AC176-242V
输出：12V2A
效率：86%（目标）【46贴：第一次测试90%】
纹波：≤80mv
以前没做过准谐振，这次找个小功率试一下。准谐振芯片用的ICE2QS03G。
我分析一下准谐振，供大家参考，有什么不对的地方欢迎拍砖！
说准谐振得先说反激：
图1所示为反激式开关电源的基本电路原理图，VT为开关管。Lp为初级电感量，包括Lm和Lk（漏感）。D1为整流管。Vin为输入的直流电压。Cd代表漏-源总的电容，包括MOS开关管D-S电容，变压器线圈的寄生电容和电路中其他的离散电容。
图2为反激电源的工作波形。对于反激式开关电源，开关管是在电流最大时关断的，因而会产生关断损耗。对于工作与CCM模式的电源，MOS管开通电压为Vin；对于DCM来说，MOS管的导通发生在震荡的任何情况，可能是谷底也可能在峰顶。这样损耗都比较大。
图3、4、5为准谐振Vds波形，从图中能看出，MOS管是在震荡的谷底开通，这样就减少了开通损耗。准谐振芯片就是检测Vds震荡波形的谷底，控制MOS管在谷底导通，这样比普通的反激导通损耗低。（有的文章说如果设计的好还可以降低关断损耗，这点我不认同，有哪位大神可以给解惑么？）我认为准谐振不能减少关断损耗。
以前没接触过准谐振，所以DATASHEET对我来说很重要。
特点
- 除了低负载的情况，都工作在准谐振模式
- 为了获得低的待机功耗，在轻载或没有负载的情况下工作在主动突发模式
- 随着负载的减小频率降低
- 启动单元，开机后给VCC恒流充电
- 内置数字软启动
- 检测校正和逐周期电流峰值限制
- VCC过压、欠压，电路开环、过载保护，可自动重启
- 可调的输出过压保护和线圈短路保护都是锁存模式
其实是有谐振电流的，只不过很小。你是看的图4、5吧，那个电流波形是测的初级Rsense的两端电压，Rsense本身比较小，所以显示不出来。我是这样理解的。
普通反激也是有震荡的，它的导通不一定在谷底。准谐振就是检测到震荡的谷底，控制MOS在谷底导通，来减少损耗。
引脚：
和普通的反激芯片差不多，就是1脚：过零检测不一样。他是通过检测辅助绕组线圈上的电压（注意不是VCC），来判断是否震荡到谷底。
开始布局：这是基本布局，可能还会有改动。投板之前都有可能改。
布局1
布局2
布局3
上骨架磁芯参数。
变压器的封装是根据以下几幅图画出来的。
PCB板子画好了，大家看看，有什么不好的地方一定要告诉我。
画这个板子改了好几次，挺麻烦的。大家看看我次级电流走线还有问题么？
布局4
布局4（a）
布局4（b）
这几天走线发现一点疑惑，次级电流要怎么走线。正、负都要经过电容好，还是只有一条电流线（正或负）经过电容就可以了。 我上传几张图大家看看。
次级走线
走线A：电流正和负都经过了2个电容。
走线B：电流的正经过了2个电容，电流的负分别经过1个电容。
可能表达不太清楚，你们结合着PCB看。A、B两种走线那个效果好？？？
看看我绕的变压器。RM8有点小，第一个骨架不小心弄坏了。
变压器设计：
变压器我是这么算的，哪位有更好的方法不妨拿出来一起探讨。
我的PCB正在制作中
上几张焊接的图片，变压器还没弄好...
该调试了，想加电试一下。先不加强电，只加VCC看看芯片能工作么。上传几个VCC的资料。
通过这三张图就知道了VCC的启动和关闭阀值，极限值，启动过程。
忘记上裸板了，补上
加了一下高压，上两张图大家看看。 电压和输入功率可以看到，电流不太好看，电流表我选的3A档，指针指在三分之二处就是2A。
测试1：
Pin=26.9W
Pout=12.213*2=24.426W
效率=Pout/Pin=24.426/26.9=90.8%
测试2：
Pin=27.1W
Pout=12.213*2=24.426W
效率=Pout/Pin=24.426/27.1=90.13%
这两张是我测试的波形
前两张测试图中的示波器接法，示波器的夹子夹输出GND，钩子钩在同步MOS的G。
再来一张电源的正面图
MOS管旁边，两根比较长的线是辅助绕组。初级和次级出线比较短。
准谐振 MOS管DS波形。测试电压超过了我示波器的显示范围。只能凑合看了。
图1-4，负载逐渐加大。
图1：MOS管在第七个波谷导通。
图2：MOS管在第四个波谷导通。
图3：MOS管在第二个波谷导通。
图4：MOS管在第一个波谷导通。
遇到问题了，第一次加电的时候就大概看了一下。空载的时候输出不稳定锯齿波明显，突然加载后输出下降到0再升高到12V。满载频率只有30K。
哪位大神给知道知道啊？
空载：输出锯齿波，幅度有1V了
空载突然加载：电压下降到0，然后输出才正常，加载波形倒是很稳定。
满载：频率只有30KHz。
可以了，确实是光耦和TL431那里不合适。把R13改为了680，R12改成了1.2K。现在空载效果挺好的。空载纹波只有40mV，突然加载电压也不下降了。
R13改为了680，R12改成了1.2K之后空载纹波。
R6和R7是0电压检测用和过压检测用的，但是文档上最后说的调整电流限制不太懂，我把它们调到了5.1K和24K，限流没明显变化啊。
R6和R7可以确定过压保护点。 变压器次级8圈，辅助10圈。所以过压点={【（3.7/10）*（43+10）】/10}8=15.688V。所以我的过压点设置的15.688V。具体没试过（理论计算）。
测了一下纹波有点问题，幅度都有128mV了。离目标（80mV）有点距离啊。
一套的器件加起来有19.6元，自己买的器件量小有点贵。还有一些贴片0805,1206,1210的电阻电容用的公司的，没算这些的价格。
纹波改好了，短路输出电感L1就行了，现在纹波有70mV满足我的要求。
改动TL431 A，K之间的电阻电容没效果，在过流检测脚加电容也不行，只有短路输出电感L1就好了。
我这个电源是准谐振+同步整流。下面我说一下我的同步整流。
开关电源的损耗主要由3部分组成：功率开关管的损耗，高频变压器的损耗，输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流管的损耗尤为突出。快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降，这就导致整流损耗增大，电源效率降低。
就用我的电源作比较。
二极管整流：次级如果我用0.6V压降的肖特基，肖特基的损耗大概为：Io*Vf=2A*0.6V=1.2W
同步整流：次级如果我用内阻为40mO的mos管的话，mos管的损耗大概为Io2*R=22*0.04=0.16W
理论上我节省的损耗为：1.2W-0.16W=1.04W
这是我同步整流电路图，用Q2代替二极管就是同步整流了。Nmos的源极和漏极之间有体二极管，当源极-漏极有电流流过时，Q2导通（降低了损耗），当电流小的时候Q2截止，这就是同步整流。
同步整流芯片我用的是IR1166S，这个芯片就是控制Q2的导通和断开。它的供电为11.3到20V，所以我直接从输出去电，方便简单。
大电流的时候同步整流可以降低损耗提高效率这是毋庸置疑的。但是它也优缺点：首先增加了成本，同步芯片+mos管+电阻电容的成本大于一个二极管；同步整流电路比一个二极管复杂，这有增加了不可靠性，电路越简单越可靠。
所以用不用同步整流要多方面考虑，看自身情况而定！！！
上同步的电路图和工作时的波形。
示波器的夹子夹在变压器8脚上，蓝色的钩子钩在变压器7脚上。黄色的钩子钩在MOS管Q2的G。
当变压器给电容充电、负载提供能量时，变压器的7脚电压高于8脚电压。同步整流芯片会有一个延迟让同步MOS管导通。当变压器开始存储能量时，变压器7、8脚之间的电压减小，这时同步整流芯片控制同步MOS关断。