随着AI大模型算力持续爆发，AI数据中心对供电系统的功率密度、转换效率与可靠性提出了前所未有的严苛要求。安森美（onsemi）30kW AI云计算电源单元（PSU）参考设计集成安森美自研EliteSiC cascode JFET与EliteSiC MOSFET核心器件，在1U单槽规格下实现30kW功率输出，以器件到系统的协同创新，为高密度AI基础设施打造了可复制的高效供电范本。
1U形态突破性能上限，实测指标领跑行业
这款电源单元专为新一代AI数据中心架构设计，采用分层专业散热方案与标准1U机架尺寸，PFC电路使用TO-247-4L标准封装，大导热垫片设计；LLC谐振电路搭载HD-TSOP顶部冷却结构，可直装散热片强化散热。严格遵循19英寸机柜1U高度规范，机箱尺寸220×800×40mm，可直接批量适配现有数据中心机柜改造。
方案采用PFC+交错式LLC两级拓扑，核心性能指标领先：
- 额定输出功率30kW，峰值功率可达33kW
- 输入交流电压400~480Vac，输出稳定800Vdc（±400V）
- 480V输入、50%负载条件下，转换效率预计可达98%以上
- PFC开关频率70kHz，满足EN55032电磁兼容标准；交错式LLC开关频率高达700kHz
高压输出架构可大幅降低线路传输损耗，简化配电系统设计，有效支撑大规模AI集群的算力扩容，同时降低数据中心全生命周期的供电损耗与总拥有成本。
全栈SiC器件加持效率与热设计双重突破
方案性能的核心支撑，来自安森美EliteSiC系列器件与配套驱动芯片的协同优化，实现了高频化与高效率的双重突破。
EliteSiC共源共栅JFET：大幅削减PFC级反向恢复损耗，同时支撑DC/DC级实现高频化运行，兼顾性能表现与系统成本优势。
EliteSiC MOSFET：在PFC级硬开关工况下实现最低总损耗，具备业界领先的开关性能与品质因数。
NCP51563双通道栅极驱动器：与功率开关的配对经过深度优化，保障高频开关下的稳定可靠运行。
热设计层面同样针对两级拓扑做了差异化优化：PFC级采用行业标准TO-247-4L封装，大散热焊盘设计兼顾散热能力与方案易用性；LLC级采用HD-TSOP封装与顶部散热设计，可直接安装散热器，进一步提升散热上限，保障1U高功率密度下的长期运行可靠性。
全栈方案能力，加速AI供电落地
作为覆盖从电网到GPU全链路的电源解决方案提供商，安森美可提供3kW到25-30kW高压直流全功率段的AI数据中心供电产品。这款30kW PSU参考设计不仅是单一产品的突破，更体现了安森美从功率器件、控制芯片到系统方案的全栈创新能力。
通过高度集成的系统级设计与成熟的器件技术，该方案为AI服务器、云计算基础设施提供了可直接落地的参考设计，助力客户缩短研发周期，快速推出适配下一代AI算力的高密度、高效率、可持续的供电系统，推动AI数据中心向更高能效、更低TCO的方向持续演进。
想解锁完整方案细节、现场查看实物样品？欢迎莅临7月11日中国电子方案大会，我们在深圳等你面对面沟通。