最新65W SiC PD方案来了！
有三个突出的亮点：
1. 反激主控芯片提供高达17.5V的驱动电压，能够充分发挥碳化硅MOS的性能。
2. ZVS反激跟QR反激智能切换，在高压重载的情况下效率大幅度提高。
3.方案的功率密度比较大，在面积为49x49mm的1A2C方案中，它的空间余量很多。
我们来看一下它的原理图。
这个碳化硅MOS的驱动电压，有的厂家用15V，而智融的驱动电压达到了17.5V，更高的驱动电压可以让碳化硅MOS导通更加彻底，内阻更低。17.5V比15V管子的内阻降低30%。
现在大家都往碳化硅方向转。为什么呢？首先相比于氮化镓碳化硅MOS的良率普遍更高。这主要是因为碳化硅在衬底和外延工艺上更成熟，晶圆缺陷更少。另外，碳化硅在高温下，内阻不会增加，这个特性对于开关电源来说，实在是太有吸引力了。还有碳化硅的耐压很高，原本属于IGBT的份额，也被碳化硅慢慢蚕食。应用的大幅度增加，也会让碳化硅的成本进一步降低。所以以后这个碳化硅的方案会越来越多。
除了对碳化硅的友好支持，这个方案还有一个非常有意思的点。
它的同步整流控制器叫ZVS反激同步整流器。它的工作原理是在下一个周期原边功率管开通之前，它会控制同步整流管先导通一段时间，加大原边震荡幅度，实现原边功率管的ZVS导通。这样就优化了QR反激，ZVS没那么完美的缺陷。
我们电源网实验室对这个方案进行了效率扫描，这个是我们独家数据。我们来看看智融的这个创新到底有没有效果？
我们可以看到，随着输出电流增加，方案的效率逐步增加，低压的效率一直高于高压。而到了1A的时候，高压的效率突然大幅度增加。
大概在1.8A的时候，高压效率居然超过了低压。
一般对于这种没有PFC的电源，低压的效率都是全程高于高压的。
接下来，我们来说说这个背后的机制。在低压输入的情况下，QR准谐振的震荡的谷底已经非常低了。全程都用QR反激的工作模式没有问题。而在高压输入下，负载较重的时候，芯片通过预导通副边MOS的方式，优化原边开关管ZVS，让效率大幅度上升。
智融准备了一些DEMO，可以给大家申请。感兴趣的可以联系我，谢谢。
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