TEA2107 芯片Pin脚布局

TEA2017 PCB布局指南

1. PFC和LLC功率环路需要分隔开

PFC和LLC功率环路的地必须直接连接到主电容的地，这里需要注意的是2个环路不要进行交叉避免干扰具体的环路布局可以参考下图：

器件布局时在满足安规距离下应该尽可能的减小环路的面积，这样可以最大限度避免辐射。

2. TEA2017芯片必须避开功率环路

芯片放置的位置最好置于主电容的下端，这样可以避开PFC和LLC功率回路，同时也能与开关节点保持一段的距离。具体位置可以参考下图：

如果芯片因为PCB尺寸或者结构原因导致无法远离功率回路，可以通过在干扰源与检测引脚的间隙铺铜接地的方式，同时在芯片背面进行铺铜处理来减小干扰。

3. VCC绕组和电解电容的地连接方式

VCC绕组的地（1）和芯片的地连接到芯片VCC电容电容的地（2）然后统一连接到主电容地（3）

4. TEA2017芯片 IC地的布局

IC所有引脚回路的地需要先统一接到IC的GND引脚，然后在统一接到VCC电解电容的地后再接到主电容的功率地上。

5. TEA2017 关键检测引脚的布局

SNSMAIN 引脚的注意事项

SNSMAINS引脚用于检测AC输入的正弦信号，由于检测点的位置与电源输入端口必然存在距离较远的客观情况，为了避免干扰检测限流电阻中最后一个电阻（图中R102）需要靠近引脚，避免干扰同时引脚处需要增加一个470pF去耦电容。

这点非常重要，否则会导致取样值失真导致PF值过低，且电流无法跟随正确的正弦波形。实测如果最后一个采样电阻远离引脚，PF值会减低到0.9，正常情况可以到0.99。

SNSBOOST 引脚的注意事项

PFC输出电压检测电路，下偏电阻取值为100K，同时须增加1nF去耦电容并靠近SNSBOOST引脚，上偏电阻的数量需要考虑电阻耐压值一般选择3-4个1206电阻。

SNSCURPFC 引脚的注意事项

一般情况PFC MOS采样电阻距离芯片较远，这个情况很难避免，为了减少干扰，通常采用下列2种方案。

可以使用2级RC滤波器来避免干扰。其中第1级RC滤波器靠近PFC采样电阻，取值为R=4R7，C=47nF. 第2级靠近芯片引脚，取值为R=220R C=2.2nF. 如果只采用1级RC滤波器，则需要靠近芯片引脚且电阻封装需选择1206。
在检测连线添加接地的铺铜作为屏蔽层避免干扰，且尽可能远离整流二极管，或者通过过孔使得走线与二极管不在同一层。

SNSCAP 引脚的注意事项

谐振电容电压采样引脚，其分压上偏电容耐压需选择630V以上，且精度等级需要选择NP0或 C0G。另外下偏电容应该尽可能靠近SNSCAP引脚。

SNSFB 引脚的注意事项

光耦的地应直接与IC的地相连，如果因为空间限制的原因导致FB引线过长，需要再引线2侧添加接地铺铜用于屏蔽干扰使用。