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双向可控硅的应用介绍(二)

3.2 turn-on 状态

工作在Q1和Q4象限

注意:相比其他象限,Q4的Igt比较高,di/dt能力较弱

工作在Q2和Q3象限

工作在Q1和Q3象限

IGT:能够使可控硅导通的最低触发电流

VGT:能够使可控硅导通的最低触发电压

注意:IGT为负温度系数,建议设计值为规格书标称值的3倍.

Rg电阻的选择:

di/dt实测波形  (di/dt超出规格会导致triac损坏)

波形展开:

IL:擎住电流:当主回路电流大到去除触发电流后可以照常触发导通时的电流.(负温度系数)

3.3 ON状态

I T(RMS) :通态均方均根电流.在额定结温, 允许流过器件的最大有效电流值。                     

在任何条件下流过器件的电流有效值,不超过对应壳温下的方均根电流值

功率损耗的计算

IH-- 维持电流;在门极断路时。规定环境温度和元件导通条件下,要保持元件能处于导通状态所必须的最小正向电流

以上triacs的关键参数和注意事项已经介绍完毕,后面整理下实际的驱动电路与大家分享.

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  • 星球居民-HEt68CrJ 2020-12-08 08:55
    学习了
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  • 狸花猫 2020-12-08 08:54
    学习一下
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