一. 可控硅的基本介绍
1.1 名称：
可以控制的硅器件，又称晶闸管、闸流晶体管，英文名THYRISTOR
1.2 分类：
A、单向可控硅 SCR (Silicon Controlled Rectifier）
（可以控制阳极到阴极一个方向导通）
B、双向可控硅 TRIAC（Bi-directional thyristor ）
（可以控制阳极与阴极之间两个方向都能导通）
C、快速可控硅 FST (Fast switching thyristor)
（导通速度比较快的可控硅（>400Hz） ）
D、可关断可控硅 GTO( Gate Turn-off thyristor)
（既可以控制导通，又可以控制关断）
1.3 常用的封装：
注意：
1.4 可控硅的极性
注意：
对于可控硅而言，T1和T2不同供应商可能会标识不同.
记忆方法：T1与G极同方向，判断相位时电流流向T1为正.
二.TRIACS的优缺点介绍
TRIAC是最便宜的交流静态开关方案
TRIAC与传统的继电器相比较有以下优点：
※没有可活动的部件
▶ 提高寿命及可靠性
▶ 抗震动和摆动能力强
▶ 无触点震动
▶ 无机械噪声
※ 更容易用电子电路驱动à脉冲触发à达到节能的效果
需要注意的地方：
▶ 功率损耗：Triacs在实际工作时，导通时存在动态阻抗，消耗能量，温升难处理
▶ 因控制端和主回路端没有隔离，所以在使用时可能会用可控硅光耦或者固态继电器做隔离.
三.TRIACS的工作状态及关键参数
3.1 OFF状态
VDRM：加在可控硅两端的正向重复峰值电压（重复周期：10ms或8.3ms)
VRRM：加在可控硅两端的反向重复峰值电压（重复周期：10ms或8.3ms)
VDSM/VRSM：加在可控硅两端的 正向/反向 非重复峰值电压
VGD： 门极不触发电压.
dv/dt 的限制：元件的寄生电容提供了IGT的路径.
dv/dt：实际的dv/dt超出规格书标称的静态dv/dt，会出现误导通. 对于元件本身是没有危险的
3象限的triacs具有非常高的dv/dt.
IGT越小，dv/dt能力越弱.
dv/dt是负温度系数的，温度越高，抗噪性越差.
如何抑制静态dv/dt？
1.增加RC缓冲电路
注意：RC阻值不合理会导致漏电流过大，造成关闭调光器后，存在闪灯的情况.
2.增加栅极阻容滤波器.
CGA1显著降低了Triacs的 di/ dt 能力(Q2,Q3)
注意：Triacs禁止使用CGA1
抗EFT的能力
家电电器必须达到电磁兼容性标准的最低要求。因为双向可控硅通过负载直接连接市电，这类电器对IEC61000-4-4标准中的电快速瞬变(EFT)实验所用瞬变事件特别敏感。
双向可控硅内部结构及工作象限划分
G和T2的电流流向T1为+，反之为﹣.
（根据G和T2流向TI的电流方向，判断工作象限）
只有标准型的可控硅为是四个象限都可以工作的；