Part 01 前言
下面是一个反接保护电路，用在12V电源输入端，保护后级负载不被电源接反给“坑”了。这个电路的核心任务是防止电源正负极接反时，电流反向流到负载，把后级电路烧坏。正常接法12V接BT3正极：P沟道MOSFET Q2（IPD80P03P4）导通，电流从BT3正极流到负载Load3，正常工作。反接（12V接BT3负极）：Q2关断，电流被挡住，负载安全。简单来说，Q2就像个“单向阀”，只让电流按正确方向走，接反了就“关门”。
Part 02 电路工作原理
正常接法
电源BT3给12V，Q2的漏极（2脚）接12V，源极（3脚）接负载。一开始Q2体二极管导通，之后R2（12kΩ）和Z2（MMSZ5240BT1，10V齐纳二极管）组成的分压稳压电路工作，Z2把Q2的栅极（1脚）-源极（3脚）电压固定在-10V。Q2是P沟道MOSFET，导通需要Vgs小于阈值电压（IPD80PO3P4的VGS(th）一般是-2V到-4V)，Q2顺利导通。Q2导通后，电流从漏极流到源极，负载正常供电，C8（15nF）顺便滤掉点小噪声。
反接情况
电源接反，BT3正极接GND，负极接12V。Q2的漏极变成0V，栅极通过R2拉到12V。这时候VGS=0V，Q2关断。Q2体二极管（从漏极到源极方向）也不导通，电流彻底被切断，负载安全无忧。
Part 03 器件选型
1.P沟道MOSFET Q2
主要考虑耐压和RDS(on)，12V输入，耐压-30V够用，留了点余量。RDS(on)的选择要基于负载电流来选，MOSFET功耗=负载电流*负载电流*RDS(on)，而功耗又会引起MOS发热。
2,齐纳二极管Z2
Z2保护Q2栅极不被高电压击穿，同时固定栅极电压。Z2选型主要考虑稳压额定值和功率，Z2最大稳压值不能超过MOSFET栅极耐压，当然Z2最小稳压值得大于MOSFET栅极开启电压，所以需要折衷考虑，选个中间值。
Z2的功率=I*U，其中U是稳压值，I是流经Z2的电流，可以按下面的公式估算：
I=（12V-稳压值U_min）/R2
3.电阻R2
R2和Z2配合，给栅极提供偏置电流，选型注意R2的功率，稳态时，流经R2的电流就等于流经稳压管的电流，那么R2的功耗=I*I*R2
4.电容C8
C8的作用是滤波，电容的耐压是50V，耐压远超12V安全。当然也可以换成 100nF，滤波效果更好。
总体来说这个反接保护电路用P沟道MOSFET实现，简单又实用，适合不同电流负载。电流小的话，可以换个小点的MOSFET能省钱；齐纳二极管和电阻可以微调，降低功耗。