估计很多小伙伴在看到标题时已经蒙圈，那么多存储器该怎么区分呢？建议收藏起来，忘记的时候再翻出来看看。
一：按存储类型分类的话，主要分为两大类1：易失性存储器这类存储器有一个非常明显的特征：那就是断电了数据会直接丢失。那易失性存储器又分为以下几类：（1）SRAM（静态随机存储器）特点：基于晶体管状态存储数据，无需刷新，访问速度快，功耗低，但成本高、密度低。应用：CPU缓存、高速缓存。
（2）DRAM（动态随机存储器）特点：基于电容器存储电荷，需周期性刷新，密度高、成本低，但速度低于SRAM。应用：计算机主内存。
（3）DDR（双倍速率同步动态随机存储器）特点：在SDRAM基础上实现双倍数据传输速率，带宽高。应用：台式机、服务器内存。
（4）LPDDR（低功耗双倍速率存储器）特点：专为移动设备优化，功耗更低，性能接近DDR。应用：智能手机、平板电脑。
2：非易失性存储器那这类存储就和易失性存储器的特征刚好反过来：那就是断电了数据不会丢失。那NAND Flash 就是属于非易失性存储器。特点：基于浮栅晶体管存储电荷，容量大、成本低，但读写速度慢于DRAM。类型：SLC、MLC、TLC、QLC、PLC（按存储密度和寿命排序）。应用：固态硬盘（SSD）、闪存盘、eMMC/UFS的底层存储介质。
二：按集成存储方案分类1：eMMC（嵌入式多媒体卡）特点：集成NAND Flash和控制器，采用并行接口，接口简单但速度受限。应用：中低端手机、嵌入式设备存储。
2：UFS（通用闪存存储）特点：采用串行接口和全双工模式，速度显著高于eMMC，延迟更低。应用：高端智能手机、高性能存储设备。
3：eMCP（嵌入式多芯片封装）特点：将NAND Flash与LPDDR集成在同一封装中，简化设计。应用：智能手机、平板电脑的存储+内存组合方案。
4：uMCP（超高集成多芯片封装）特点：在eMCP基础上提升存储密度和性能，支持更高容量和速度。应用：高端移动设备、高性能嵌入式系统。
最后，用表格对比一下：
总结：
SRAM vs DRAM：
SRAM速度更快、无需刷新，但成本高；
DRAM密度高、需刷新，用于主内存。
DDR vs LPDDR：DDR面向高性能计算，LPDDR专为移动设备优化功耗。
NAND vs eMMC/UFS：NAND是底层存储介质，eMMC/UFS是集成控制器的高级封装方案。
eMCP vs uMCP：uMCP集成度和性能更高，适用于大容量需求场景。