----- 正文 -----
先赞↓后看，养成习惯！
一、电气性能
电气性能包含下图时钟频率、IO电平、时序定义等内容，下面将一一介绍（注意：本文只介绍标准模式下的数据，其它模式数据参考协议原文文档）
以下的时序是常见的，项目中I2C实际波形需要符合这些时序的要求，因此测试中应该用示波器抓到实际波形然后查看每个时序，当然以上只是标准协议，不同的器件要求可能有所不同，需要查询相应的数据手册确定极限值。其他的时序可以参考原文，不再赘述。
1. VIH与VIL
VIH：高电平阈值电压，高于此电压才会判断为高电平，一般取VDD+0.5V或5.5V中的小值，例如3.3V的系统中，取3.3+0.5等于3.8V
VIL：低电平阈值电压，低于此电压才会判断为低电平，一般最小值为-0.5V，最大值为0.3VDD，这里的最大最小值器件生产误差或者不同器件的微小差异，后续的最大值最小值也是类似。
2. tlow
指低电平持续时间，也就是SDA或SCL一个时钟周期内电平低于0.3VDD的持续时间。标准模式下最小为4.7us。
3. tHIGH
指高电平持续时间，也就是SDA或SCL在一个周期内电压大于0.7VDD后直到电压再低于0.7VDD时持续的时间。标准模式下最小为4.0us。
4. tr与tf
tr是指数据上升沿时间，即SDA从0.3VDD到0.7VDD这一段时间，标准模式下最大为1us，最小不限
tf是指数据下降沿时间，即SDA从0.7VDD到0.3VDD这一段时间，标准模式下最大为0.3us，最小不限
5. tHD;STA
指开始保持时间，数据SDA变为低电平（SDA低于０.３VDD瞬间开始）一直到SCL开始变为低电平（SCL低于０.７VDD瞬间）这段时长，标准模式下最小值为4.0us
6. tSU;STA
指起始建立时间，只有在发完上一个数据Re-Start时才会有这个时序，从SCL变为高电平（SCL电压大于0.7VDD瞬间）开始到SDA开始变为低电平（SDA低于0.7VDD瞬间）这一段时间的时长，标准模式下最小为4.7us。
7. tSU;DAT
指数据建立时间，数据SDA完成电平变换（指SDA由0V变为0.7VDD瞬间或从VDD变为0.3VDD瞬间开始）一直到时钟SCL开始采集（指SCL大于0.3VDD）这一段时长，标准模式下最小250ns。
8. tHD;DAT
指数据保持时间，时钟SCL高电平结束后变为低电平（指SCL低于0.3VDD瞬间开始）一直到数据SDA完成电平转换（指SDA由0V变为0.7VDD瞬间或从VDD变为0.3VDD瞬间开始）这一段时长，标准模式下最小5us。
9. tSU;STO
指结束建立时间，从SCL变为高电平（指SCL高于0.7VDD瞬间开始）到SDA开始变为高电平（指SDA高于0.3VDD瞬间）这段时间的时长，标准模式下最小4.0us。
二、上拉电阻的计算
对于标准模式（即通信速率为100k），上拉电阻受电源电压、输入电流和总线电容影响，引脚输入电流有限，一般为3mA，总线电容Cb最大为400pF。
由于引脚输入电流有限，过大可能损坏设备，因此可以计算上拉电阻的最小值Rpmin=（VDD-0.3VDD）/0.003，取0.3VDD是因为低电平最大值为0.3VDD。以VDD为3.3V计算，Rp的最小值为（3.3-3.3*0.3）/0.003=0.77kΩ
另外由于前面讲过的上升沿时间tr最大值（标准模式1us）影响，可以计算上拉电阻的最大值。
上升沿其实就是对电容Cb充电的过程，按照tr的定义可以得出以下式子：（其中R为Rp，C为Cb）
以tr最大为1us，Cb最大为400pF计算得：
因此Rp取值范围在0.77k到2.86k之间，建议取靠近中间的值，实际总线电容可能没有400pF，因此也可以稍微取大一些，常见的是4.7k。