单片机I/O到底能不能直接驱动MOS管?

核桃刚毕业的时候经常看到如下电路:

图1

那时候也会疑惑,为什么单片机驱动MOS管还需要再加一个三极管?直接驱动不行吗?

那今天我们就来理一理!

我们以STM32为例,先看一下STM32的I/O输出能力,如下图2所示:

图2

在之前的文章中我们有提到过MOS的米勒效应问题,具体的文章可以戳这里:

用好MOS管的前提——米勒效应

要想减少米勒效应就需要提高栅极驱动电流,来缩短寄生电容的充放电时间,而STM32的驱动能力如上图2所示非常的小,这是其中的原因之一。

原因二:现在的MCU供电等级都是比较低,从1.8V~5V都有,而每个MOS管的Vgs(th)都不一样,范围2~3V左右,饱和电压6~8V左右,对于3.3V的单片机来说,最高驱动电压只能到3.3V,如果直接驱动MOS管,那很有可能会使MOS管处于半导通的状态(恒流工作区),致使MOS的内阻大,功耗高,发热量大!

而加入三极管就会稳妥很多,驱动电压一般在0.3~0.7V即可导通。再由三极管去驱动MOS管,无论是电压还是驱动电流均能满足要求。

当然了,也不是说单片机的I/O不能直接驱动MOS,只是MOS在选型时要注意,且可选种类不多,在低频低功率场合下,直接I/O驱动也是可行的。

总之,具体情况具体分析吧!设计时,择优而定即可!

声明:本内容为作者独立观点,不代表电子星球立场。未经允许不得转载。授权事宜与稿件投诉,请联系:editor@netbroad.com
觉得内容不错的朋友,别忘了一键三连哦!
赞 6
收藏 7
关注 141
成为作者 赚取收益
全部留言
0/200
成为第一个和作者交流的人吧