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120V SGT 低CISS 低内阻 大电流 响应速度快

120V SGT工艺的MOSFET,内阻10V 5.5ΩM(TYP) 产品同样内阻CISS会比传统的沟槽工艺低,响应速度快,在频繁开关的应用上会有优势,缺点就是扛雪崩能力会弱。

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