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IGBT选型时的几点注意事项

对于给定的开关速度, NPT 技术通常比PT 技术具有较高的VCE(on)。这种差异被进一步放大,因为NPT的VCE(on)随着温度的升高而升高(正温度系数) ,而PT 的VCE(on)随温度的升高而降低(负温度系数) 。然而,对于任何的IGBT,无论是PT 或NPT,开关损耗都是以VCE(on)作为代价的。更高速度的IGBT 具有较高的VCE(on);较低速度的IGBT具有较低的VCE(on)。事实上,它可能是一个非常快的PT 装置拥有较高的VCE(on),相反,NPT装置的开关速度则较慢。

标签: IGBT
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